Transconductantieparameter van MOS-transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)
Kn = id/((Vox-Vt)*Vgs)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen
Variabelen gebruikt
Transconductantieparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - De transconductantieparameter is het product van de procestransconductantieparameter en de aspectverhouding van de transistor (W/L).
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.
Spanning over oxide - (Gemeten in Volt) - De spanning over het oxide is te wijten aan de lading op het oxide-halfgeleidergrensvlak en de derde term is te wijten aan de ladingsdichtheid in het oxide.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.
Spanning tussen poort en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen poort en bron is de spanning die over de poort-bronaansluiting van de transistor valt.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Afvoerstroom: 17.5 milliampère --> 0.0175 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
Spanning over oxide: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist
Spanning tussen poort en bron: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Kn = id/((Vox-Vt)*Vgs) --> 0.0175/((3.775-2)*3.34)
Evalueren ... ...
Kn = 0.00295184279328667
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.00295184279328667 Ampère per vierkante volt -->2.95184279328667 Milliampère per vierkante volt (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
2.95184279328667 2.951843 Milliampère per vierkante volt <-- Transconductantieparameter
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

Karakteristieken van de transistorversterker Rekenmachines

Stroom die door geïnduceerd kanaal in transistor vloeit, gegeven oxidespanning
​ LaTeX ​ Gaan Uitgangsstroom = (Mobiliteit van elektronen*Oxide capaciteit*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Spanning over oxide-Drempelspanning))*Verzadigingsspanning tussen afvoer en bron
Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging
​ LaTeX ​ Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2
Totale momentane afvoerspanning
​ LaTeX ​ Gaan Totale momentane afvoerspanning = Fundamentele componentspanning-Afvoerweerstand*Afvoerstroom
Ingangsspanning in transistor
​ LaTeX ​ Gaan Fundamentele componentspanning = Afvoerweerstand*Afvoerstroom-Totale momentane afvoerspanning

Transconductantieparameter van MOS-transistor Formule

​LaTeX ​Gaan
Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)
Kn = id/((Vox-Vt)*Vgs)

Hoe vergroot u de transconductantie?

Een veelvoorkomend cijfer van verdienste voor FET's is de transconductantie, en deze kan worden verhoogd door de kanaalweerstand te verminderen door middel van zware doping. Maar deze strategie verslechtert de elektronenmobiliteit vanwege de verstrooiing van de drager door de geïoniseerde onzuiverheden.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!