Totale capaciteit tussen poort en kanaal van MOSFET's Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Gate Channel-capaciteit = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte
Cg = Cox*Wc*L
Deze formule gebruikt 4 Variabelen
Variabelen gebruikt
Gate Channel-capaciteit - (Gemeten in Farad) - Poortkanaalcapaciteit verwijst naar de elektrische capaciteit die bestaat tussen de poortelektrode en het kanaalgebied van een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET).
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).
Kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Oxidecapaciteit: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Bekijk de conversie ​hier)
Kanaalbreedte: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Kanaallengte: 100 Micrometer --> 0.0001 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Cg = Cox*Wc*L --> 0.00094*1E-05*0.0001
Evalueren ... ...
Cg = 9.4E-13
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
9.4E-13 Farad -->9.4E-07 Microfarad (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
9.4E-07 9.4E-7 Microfarad <-- Gate Channel-capaciteit
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Overgangsfrequentie van MOSFET
​ LaTeX ​ Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))
Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET
​ LaTeX ​ Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)
Totale capaciteit tussen poort en kanaal van MOSFET's
​ LaTeX ​ Gaan Gate Channel-capaciteit = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte
Overlapcapaciteit van MOSFET
​ LaTeX ​ Gaan Overlapcapaciteit = Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit*Overlappingslengte

Totale capaciteit tussen poort en kanaal van MOSFET's Formule

​LaTeX ​Gaan
Gate Channel-capaciteit = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte
Cg = Cox*Wc*L

Verklaar het hele proces van het kanaalgebied van de MOSFET dat een condensator met parallelle platen vormt.

De poort en het kanaalgebied van de MOSFET vormen een condensator met parallelle platen, waarbij de oxidelaag fungeert als het diëlektricum van de condensator. De positieve poortspanning zorgt ervoor dat een positieve lading zich ophoopt op de bovenplaat van de condensator (de poortelektrode). De overeenkomstige negatieve lading op de bodemplaat wordt gevormd door de elektronen in het geïnduceerde kanaal. Er ontstaat dus een elektrisch veld in verticale richting. Het is dit veld dat de hoeveelheid lading in het kanaal regelt, en dus bepaalt het de kanaalgeleiding en, op zijn beurt, de stroom die door het kanaal zal stromen wanneer een spanning wordt aangelegd.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!