✖Ladingspenetratie N-type verwijst naar het fenomeen waarbij extra elektronen van doteringsatomen, meestal fosfor of arseen, het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal binnendringen.ⓘ Ladingspenetratie N-type [xno] | | | +10% -10% |
✖Het verbindingsgebied is het grens- of interfacegebied tussen twee soorten halfgeleidermaterialen in een pn-diode.ⓘ Verbindingsgebied [Aj] | | | +10% -10% |
✖Acceptorconcentratie is de concentratie van een acceptor of doteringsatoom dat, wanneer het wordt gesubstitueerd in een halfgeleiderrooster, een p-type gebied vormt.ⓘ Acceptor concentratie [Na] | | | +10% -10% |