Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt Rekenmachine

✖Verbindingscapaciteit verwijst naar de capaciteit die voortkomt uit het uitputtingsgebied tussen de source/drain-terminals en het substraat.ⓘ Verbindingscapaciteit [C_j]			+10% -10%
✖Transconductance Process Parameter is een apparaatspecifieke constante die het vermogen van de transistor karakteriseert om een verandering in de poortspanning om te zetten in een verandering in de uitgangsstroom.ⓘ Transconductantieprocesparameter [k_n]			+10% -10%
✖Ingangsspanning is het elektrische potentiaalverschil dat wordt toegepast op de ingangsklemmen van een component of systeem.ⓘ Ingangsspanning [V_i]			+10% -10%
✖Drempelspanning is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is in een MOSFET om deze "aan" te zetten en een aanzienlijke stroom te laten vloeien.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%
✖Initiële spanning verwijst naar de spanning die aanwezig is op een specifiek punt in een circuit aan het begin van een bepaalde bewerking of onder specifieke omstandigheden.ⓘ Initiële spanning [V₁]			+10% -10%
✖Eindspanning verwijst naar het spanningsniveau dat wordt bereikt of gemeten aan het einde van een bepaald proces of een bepaalde gebeurtenis.ⓘ Eindspanning [V₂]			+10% -10%

✖Lineaire regio in tijdsvertraging wordt gedefinieerd als de vertraging die voortkomt uit het opladen en ontladen van condensatoren die zijn aangesloten op de NMOS tijdens schakelgebeurtenissen.ⓘ Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt [t_delay]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Lineair gebied in tijdvertraging = -2*Verbindingscapaciteit*int(1/(Transconductantieprocesparameter*(2*(Ingangsspanning-Drempelspanning)*x-x^2)),x,Initiële spanning,Eindspanning)
t_delay = -2*C_j*int(1/(k_n*(2*(V_i-V_T)*x-x^2)),x,V₁,V₂)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 7 Variabelen

Functies die worden gebruikt

int - De bepaalde integraal kan worden gebruikt om het netto getekende oppervlak te berekenen. Dit is het oppervlak boven de x-as min het oppervlak onder de x-as., int(expr, arg, from, to)

Variabelen gebruikt

Lineair gebied in tijdvertraging - (Gemeten in Seconde) - Lineaire regio in tijdsvertraging wordt gedefinieerd als de vertraging die voortkomt uit het opladen en ontladen van condensatoren die zijn aangesloten op de NMOS tijdens schakelgebeurtenissen.
Verbindingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Verbindingscapaciteit verwijst naar de capaciteit die voortkomt uit het uitputtingsgebied tussen de source/drain-terminals en het substraat.
Transconductantieprocesparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - Transconductance Process Parameter is een apparaatspecifieke constante die het vermogen van de transistor karakteriseert om een verandering in de poortspanning om te zetten in een verandering in de uitgangsstroom.
Ingangsspanning - (Gemeten in Volt) - Ingangsspanning is het elektrische potentiaalverschil dat wordt toegepast op de ingangsklemmen van een component of systeem.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is in een MOSFET om deze "aan" te zetten en een aanzienlijke stroom te laten vloeien.
Initiële spanning - (Gemeten in Volt) - Initiële spanning verwijst naar de spanning die aanwezig is op een specifiek punt in een circuit aan het begin van een bepaalde bewerking of onder specifieke omstandigheden.
Eindspanning - (Gemeten in Volt) - Eindspanning verwijst naar het spanningsniveau dat wordt bereikt of gemeten aan het einde van een bepaald proces of een bepaalde gebeurtenis.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Verbindingscapaciteit: 95009 Farad --> 95009 Farad Geen conversie vereist
Transconductantieprocesparameter: 4.553 Ampère per vierkante volt --> 4.553 Ampère per vierkante volt Geen conversie vereist
Ingangsspanning: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Geen conversie vereist
Initiële spanning: 5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt (Bekijk de conversie hier)
Eindspanning: 6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

t_delay = -2*C_j*int(1/(k_n*(2*(V_i-V_T)*x-x^2)),x,V₁,V₂) --> -2*95009*int(1/(4.553*(2*(2.25-5.91)*x-x^2)),x,5.42E-09,6.135E-09)

Evalueren ... ...

t_delay = 706.520454377221

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

706.520454377221 Seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

706.520454377221 ≈ 706.5205 Seconde <-- Lineair gebied in tijdvertraging

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt

Credits

Gemaakt door Vignesh Naidu

Vellore Instituut voor Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

LaTeX Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

LaTeX Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

LaTeX Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>