KGV rekenmachine

Drempelspanning Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie Analoog VLSI-ontwerp

✖Gate-to-channel-spanning wordt gedefinieerd als de weerstand van de drain-source-aan-toestand groter is dan de nominale waarde wanneer de gate-spanning rond de drempelspanning ligt.ⓘ Poort naar kanaalspanning [V_gc]			+10% -10%
✖Kanaallading wordt gedefinieerd als de kracht die wordt ervaren door een materie, wanneer deze in een elektromagnetisch veld wordt geplaatst.ⓘ Kanaalkosten [Q_ch]			+10% -10%
✖Poortcapaciteit is de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.ⓘ Poortcapaciteit [C_g]			+10% -10%

✖De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.ⓘ Drempelspanning [V_t]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Drempelspanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)
V_t = V_gc-(Q_ch/C_g)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.
Poort naar kanaalspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-to-channel-spanning wordt gedefinieerd als de weerstand van de drain-source-aan-toestand groter is dan de nominale waarde wanneer de gate-spanning rond de drempelspanning ligt.
Kanaalkosten - (Gemeten in Coulomb) - Kanaallading wordt gedefinieerd als de kracht die wordt ervaren door een materie, wanneer deze in een elektromagnetisch veld wordt geplaatst.
Poortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Poortcapaciteit is de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Poort naar kanaalspanning: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Geen conversie vereist
Kanaalkosten: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Coulomb (Bekijk de conversie hier)
Poortcapaciteit: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_t = V_gc-(Q_ch/C_g) --> 7.011-(0.0004/5.961E-05)

Evalueren ... ...

V_t = 0.300716490521724

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.300716490521724 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.300716490521724 ≈ 0.300716 Volt <-- Drempelspanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Drempelspanning

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt

LaTeX Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

DIBL-coëfficiënt

LaTeX Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Kanaallading

LaTeX Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Kritieke spanning

LaTeX Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Bekijk meer >>

Drempelspanning Formule

LaTeX Gaan

Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)
V_t = V_gc-(Q_ch/C_g)

Wat is een langkanaalmodel?

Het lange-kanaalmodel verwijst naar een benadering die wordt gebruikt voor het analyseren en ontwerpen van elektronische apparaten met relatief grote kanaallengtes, meestal in het micrometerbereik. Dit model vereenvoudigt het apparaatgedrag door kortekanaaleffecten te verwaarlozen, waardoor het geschikt is voor het initiële ontwerp en begrip van de basistransistorkarakteristieken in VLSI-circuits.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!