Thermische spanning van CMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Thermische spanning = Ingebouwd potentieel/ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
Vt = ψo/ln((Na*Nd)/(ni^2))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen
Functies die worden gebruikt
ln - De natuurlijke logaritme, ook wel logaritme met grondtal e genoemd, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)
Variabelen gebruikt
Thermische spanning - (Gemeten in Volt) - Thermische spanning is de spanning die wordt geproduceerd binnen de pn-overgang.
Ingebouwd potentieel - (Gemeten in Volt) - Ingebouwd potentieel is potentieel binnen de MOSFET.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie is de concentratie van gaten in de acceptortoestand.
Donorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donorstaat.
Intrinsieke elektronenconcentratie - Intrinsieke elektronenconcentratie wordt gedefinieerd als het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Ingebouwd potentieel: 18.8 Volt --> 18.8 Volt Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie: 1100 1 per kubieke meter --> 1100 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Donorconcentratie: 190000000000000 1 per kubieke meter --> 190000000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Intrinsieke elektronenconcentratie: 17 --> Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Vt = ψo/ln((Na*Nd)/(ni^2)) --> 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2))
Evalueren ... ...
Vt = 0.549471683639064
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.549471683639064 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.549471683639064 0.549472 Volt <-- Thermische spanning
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

CMOS-ontwerpkenmerken Rekenmachines

Ingebouwd potentieel
​ LaTeX ​ Gaan Ingebouwd potentieel = Thermische spanning*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
Verandering in frequentieklok
​ LaTeX ​ Gaan Verandering in frequentie van de klok = VCO-winst*VCO-stuurspanning
Capaciteit Onpath
​ LaTeX ​ Gaan Capaciteit op pad = Totale capaciteit in fase-Capaciteit buiten pad
Statische stroom
​ LaTeX ​ Gaan Statische stroom = Statische kracht/Basiscollectorspanning

Thermische spanning van CMOS Formule

​LaTeX ​Gaan
Thermische spanning = Ingebouwd potentieel/ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
Vt = ψo/ln((Na*Nd)/(ni^2))

Wat is rijden?

"Drive" in digitale elektronica verwijst naar het vermogen van een logische poort of circuit om stroom aan zijn uitgang te leveren, waardoor wordt beïnvloed hoe snel de uitgangsspanning overgaat tussen logische niveaus en het een cruciale rol speelt bij het bepalen van de algehele prestaties van digitale systemen.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!