Thermische weerstand tussen knooppunt en omgeving Rekenmachine

✖Temperatuurverschiltransistors worden aangegeven met het ΔT-symbool.ⓘ Temperatuurverschiltransistors [ΔT]			+10% -10%
✖Het stroomverbruik van de chip is het vermogen dat door de geïntegreerde chip wordt verbruikt wanneer er stroom doorheen vloeit.ⓘ Stroomverbruik van chip [P_chip]			+10% -10%

✖Thermische weerstand tussen junctie en omgeving wordt gedefinieerd als de stijging van de weerstand als gevolg van het verwarmingseffect in de junctie.ⓘ Thermische weerstand tussen knooppunt en omgeving [Θ_j]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden Formules Pdf PDF Image

Thermische weerstand tussen knooppunt en omgeving Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur = Temperatuurverschiltransistors/Stroomverbruik van chip
Θ_j = ΔT/P_chip
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur - (Gemeten in kelvin/watt) - Thermische weerstand tussen junctie en omgeving wordt gedefinieerd als de stijging van de weerstand als gevolg van het verwarmingseffect in de junctie.
Temperatuurverschiltransistors - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuurverschiltransistors worden aangegeven met het ΔT-symbool.
Stroomverbruik van chip - (Gemeten in Watt) - Het stroomverbruik van de chip is het vermogen dat door de geïntegreerde chip wordt verbruikt wanneer er stroom doorheen vloeit.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Temperatuurverschiltransistors: 2.4 Kelvin --> 2.4 Kelvin Geen conversie vereist
Stroomverbruik van chip: 0.797 Milliwatt --> 0.000797 Watt (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Θ_j = ΔT/P_chip --> 2.4/0.000797

Evalueren ... ...

Θ_j = 3011.29234629862

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3011.29234629862 kelvin/watt -->3.01129234629862 Kelvin per milliwatt (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

3.01129234629862 ≈ 3.011292 Kelvin per milliwatt <-- Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden » Thermische weerstand tussen knooppunt en omgeving

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden Rekenmachines

Capaciteit van externe belasting

LaTeX Gaan Capaciteit van externe belasting = Uitwaaieren*Ingangscapaciteit

Fanout van Poort

LaTeX Gaan Uitwaaieren = Fase inspanning/Logische inspanning

Fase inspanning

LaTeX Gaan Fase inspanning = Uitwaaieren*Logische inspanning

Gate vertraging

LaTeX Gaan Poortvertraging = 2^(N-bit SRAM)

Bekijk meer >>

Thermische weerstand tussen knooppunt en omgeving Formule

LaTeX Gaan

Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur = Temperatuurverschiltransistors/Stroomverbruik van chip
Θ_j = ΔT/P_chip

Hoe wordt de warmtestroom bepaald?

De warmte die door een chip wordt gegenereerd, stroomt van de transistorovergangen waar deze door het substraat en de verpakking wordt gegenereerd. Het kan over een koellichaam worden verspreid en vervolgens door middel van convectie door de lucht worden afgevoerd. Net zoals de stroom wordt bepaald door het spanningsverschil en de elektrische weerstand, wordt de warmtestroom bepaald door het temperatuurverschil en de thermische weerstand.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!