Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base
npo = ((ni)^2)/NB
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Thermische evenwichtsconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Thermische evenwichtsconcentratie wordt gedefinieerd als de concentratie van dragers in een versterker.
Intrinsieke dragerdichtheid - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerdichtheid is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Dopingconcentratie van base - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De dopingconcentratie van base is het aantal onzuiverheden dat aan de base is toegevoegd.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Intrinsieke dragerdichtheid: 4500000000 1 per kubieke meter --> 4500000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Dopingconcentratie van base: 19 1 per kubieke meter --> 19 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
npo = ((ni)^2)/NB --> ((4500000000)^2)/19
Evalueren ... ...
npo = 1.06578947368421E+18
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.06578947368421E+18 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.06578947368421E+18 1.1E+18 1 per kubieke meter <-- Thermische evenwichtsconcentratie
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT
​ LaTeX ​ Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)
Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT
​ LaTeX ​ Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom
Klein-signaalverspreidingscapaciteit
​ LaTeX ​ Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie
Base-Emitter Junction Capaciteit
​ LaTeX ​ Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

BJT-circuit Rekenmachines

Totaal gedissipeerd vermogen in BJT
​ LaTeX ​ Gaan Stroom = Collector-emitterspanning*Collector Stroom+Basis-emitterspanning*Basisstroom
Common-Base stroomversterking
​ LaTeX ​ Gaan Common-Base stroomversterking = Stroomversterking gemeenschappelijke emitter/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)
Common Mode Rejection Ratio
​ LaTeX ​ Gaan Common Mode-afwijzingsratio = 20*log10(Differentiële modusversterking/Common Mode-versterking)
Intrinsieke winst van BJT
​ LaTeX ​ Gaan Intrinsieke winst = Vroege spanning/Thermische spanning

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager Formule

​LaTeX ​Gaan
Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base
npo = ((ni)^2)/NB

Wat is de concentratie van thermische evenwichtsdragers?

Het aantal dragers in de geleidings- en valentieband zonder extern aangebrachte voorspanning wordt de evenwichtsdragerconcentratie genoemd. Voor meerderheidsdragers is de evenwichtsdragerconcentratie gelijk aan de intrinsieke dragerconcentratie plus het aantal vrije dragers dat wordt toegevoegd door de halfgeleider te doteren.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!