Temperatuurverschil tussen transistors Rekenmachine

✖Thermische weerstand tussen junctie en omgeving wordt gedefinieerd als de stijging van de weerstand als gevolg van het verwarmingseffect in de junctie.ⓘ Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur [Θ_j]			+10% -10%
✖Het stroomverbruik van de chip is het vermogen dat door de geïntegreerde chip wordt verbruikt wanneer er stroom doorheen vloeit.ⓘ Stroomverbruik van chip [P_chip]			+10% -10%

✖Temperatuurverschiltransistors worden aangegeven met het ΔT-symbool.ⓘ Temperatuurverschil tussen transistors [ΔT]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden Formules Pdf PDF Image

Temperatuurverschil tussen transistors Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Temperatuurverschiltransistors = Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur*Stroomverbruik van chip
ΔT = Θ_j*P_chip
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Temperatuurverschiltransistors - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuurverschiltransistors worden aangegeven met het ΔT-symbool.
Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur - (Gemeten in kelvin/watt) - Thermische weerstand tussen junctie en omgeving wordt gedefinieerd als de stijging van de weerstand als gevolg van het verwarmingseffect in de junctie.
Stroomverbruik van chip - (Gemeten in Watt) - Het stroomverbruik van de chip is het vermogen dat door de geïntegreerde chip wordt verbruikt wanneer er stroom doorheen vloeit.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur: 3.01 Kelvin per milliwatt --> 3010 kelvin/watt (Bekijk de conversie hier)
Stroomverbruik van chip: 0.797 Milliwatt --> 0.000797 Watt (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

ΔT = Θ_j*P_chip --> 3010*0.000797

Evalueren ... ...

ΔT = 2.39897

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.39897 Kelvin --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.39897 Kelvin <-- Temperatuurverschiltransistors

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden » Temperatuurverschil tussen transistors

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden Rekenmachines

Capaciteit van externe belasting

LaTeX Gaan Capaciteit van externe belasting = Uitwaaieren*Ingangscapaciteit

Fanout van Poort

LaTeX Gaan Uitwaaieren = Fase inspanning/Logische inspanning

Fase inspanning

LaTeX Gaan Fase inspanning = Uitwaaieren*Logische inspanning

Gate vertraging

LaTeX Gaan Poortvertraging = 2^(N-bit SRAM)

Bekijk meer >>

Temperatuurverschil tussen transistors Formule

LaTeX Gaan

Temperatuurverschiltransistors = Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur*Stroomverbruik van chip
ΔT = Θ_j*P_chip

Hoe wordt de warmtestroom bepaald?

De warmte die door een chip wordt gegenereerd, stroomt van de transistorovergangen waar deze door het substraat en de verpakking wordt gegenereerd. Het kan over een koellichaam worden verspreid en vervolgens door middel van convectie door de lucht worden afgevoerd. Net zoals de stroom wordt bepaald door het spanningsverschil en de elektrische weerstand, wordt de warmtestroom bepaald door het temperatuurverschil en de thermische weerstand.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!