GGD van drie getallen

Oppervlakte Potentieel Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie Analoog VLSI-ontwerp

✖Het potentiaalverschil van het bronlichaam wordt berekend wanneer een extern aangelegde potentiaal gelijk is aan de som van de spanningsval over de oxidelaag en de spanningsval over de halfgeleider.ⓘ Bron Lichaamspotentieelverschil [V_sb]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.ⓘ Acceptorconcentratie [N_A]			+10% -10%
✖Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.ⓘ Intrinsieke concentratie [N_i]			+10% -10%

✖Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.ⓘ Oppervlakte Potentieel [Φ_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Oppervlakte Potentieel Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 4 Variabelen

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook wel logaritme met grondtal e genoemd, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Oppervlaktepotentieel - (Gemeten in Volt) - Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.
Bron Lichaamspotentieelverschil - (Gemeten in Volt) - Het potentiaalverschil van het bronlichaam wordt berekend wanneer een extern aangelegde potentiaal gelijk is aan de som van de spanningsval over de oxidelaag en de spanningsval over de halfgeleider.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Bron Lichaamspotentieelverschil: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie: 1E+16 1 per kubieke centimeter --> 1E+22 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Intrinsieke concentratie: 14500000000 1 per kubieke centimeter --> 1.45E+16 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i) --> 2*1.36*ln(1E+22/1.45E+16)

Evalueren ... ...

Φ_s = 36.5675358441665

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

36.5675358441665 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

36.5675358441665 ≈ 36.56754 Volt <-- Oppervlaktepotentieel

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Oppervlakte Potentieel

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt

LaTeX Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

DIBL-coëfficiënt

LaTeX Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Kanaallading

LaTeX Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Kritieke spanning

LaTeX Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Bekijk meer >>

Oppervlakte Potentieel Formule

LaTeX Gaan

Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)

Waarom berekenen we oppervlaktepotentiaal?

Oppervlaktepotentiaal wordt berekend om het spanningsniveau op het halfgeleideroppervlak te bepalen. Het helpt bij het beoordelen van de apparaatprestaties, de drempelspanning en het stroomverbruik in CMOS-transistoren, wat helpt bij het ontwerpen en optimaliseren van circuits.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!