Lekkage onder de drempel via UIT-transistoren Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Subdrempelstroom = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Poortstroom+Betwisting actueel+Verbindingsstroom)
ist = (Pst/Vbc)-(ig+icon+ij)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen
Variabelen gebruikt
Subdrempelstroom - (Gemeten in Ampère) - Subdrempelstroom is lekkage onder de drempelwaarde via UIT-transistoren.
CMOS statisch vermogen - (Gemeten in Watt) - CMOS Static Power wordt gedefinieerd als de lekstroom als gevolg van het zeer lage statische energieverbruik in CMOS-apparaten.
Basiscollectorspanning - (Gemeten in Volt) - Basiscollectorspanning is een cruciale parameter bij de transistorvoorspanning. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de basis- en collectoraansluitingen van de transistor wanneer deze zich in zijn actieve toestand bevindt.
Poortstroom - (Gemeten in Ampère) - Gate Current wordt gedefinieerd als wanneer er geen spanning is tussen de gate- en source-aansluitingen, er geen stroom in de drain vloeit, behalve lekstroom, vanwege een zeer hoge drain-source-impedantie.
Betwisting actueel - (Gemeten in Ampère) - Conflictstroom wordt gedefinieerd als de conflictstroom die optreedt in de verhoudingscircuits.
Verbindingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Junctiestroom is junctielekkage door source/drain-diffusies.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
CMOS statisch vermogen: 67.37 Milliwatt --> 0.06737 Watt (Bekijk de conversie ​hier)
Basiscollectorspanning: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Geen conversie vereist
Poortstroom: 4.5 milliampère --> 0.0045 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
Betwisting actueel: 25.75 milliampère --> 0.02575 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
Verbindingsstroom: 1.5 milliampère --> 0.0015 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
ist = (Pst/Vbc)-(ig+icon+ij) --> (0.06737/2.02)-(0.0045+0.02575+0.0015)
Evalueren ... ...
ist = 0.00160148514851485
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.00160148514851485 Ampère -->1.60148514851485 milliampère (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.60148514851485 1.601485 milliampère <-- Subdrempelstroom
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

CMOS-vermogensstatistieken Rekenmachines

Activiteitsfactor
​ LaTeX ​ Gaan Activiteitsfactor = Schakelvermogen/(Capaciteit*Basiscollectorspanning^2*Frequentie)
Schakelvermogen
​ LaTeX ​ Gaan Schakelvermogen = Activiteitsfactor*(Capaciteit*Basiscollectorspanning^2*Frequentie)
Dynamisch vermogen in CMOS
​ LaTeX ​ Gaan Dynamische kracht = Kortsluitvermogen+Schakelvermogen
Kortsluitvermogen in CMOS
​ LaTeX ​ Gaan Kortsluitvermogen = Dynamische kracht-Schakelvermogen

Lekkage onder de drempel via UIT-transistoren Formule

​LaTeX ​Gaan
Subdrempelstroom = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Poortstroom+Betwisting actueel+Verbindingsstroom)
ist = (Pst/Vbc)-(ig+icon+ij)

Wat zijn de bronnen van vermogensdissipatie in CMOS?

Vermogensdissipatie in CMOS-circuits is afkomstig van twee componenten. Het zijn dynamische dissipatie en statische dissipatie.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!