Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Winnende percentage
Gemengde fractie
KGV van twee getallen
Substraat bias-coëfficiënt Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Meer >>
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Meer >>
⤿
Analoge elektronica
Analoge communicatie
Antenne- en golfvoortplanting
CMOS-ontwerp en toepassingen
Meer >>
⤿
MOSFET
BJT
⤿
MOS-transistor
Common Mode-afwijzingsratio (CMRR)
Huidig
Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model
Meer >>
✖
Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
ⓘ
Dopingconcentratie van acceptor [N
A
]
Elektronen per kubieke centimeter
Elektronen per kubieke meter
+10%
-10%
✖
Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.
ⓘ
Oxidecapaciteit [C
ox
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Microfarad
Millifarad
Nanofarad
Picofarad
+10%
-10%
✖
Substrate Bias Coefficient is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van MOSFET-apparaten (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
ⓘ
Substraat bias-coëfficiënt [γ
s
]
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
Substraat bias-coëfficiënt
Formule
γ
s
=
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
C
ox
Voorbeeld
5.7E-7
=
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
3.9 F
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden MOSFET Formule Pdf
Substraat bias-coëfficiënt Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Substraat bias-coëfficiënt
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingconcentratie van acceptor
)/
Oxidecapaciteit
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
Deze formule gebruikt
2
Constanten
,
1
Functies
,
3
Variabelen
Gebruikte constanten
[Permitivity-silicon]
- Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e]
- Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Functies die worden gebruikt
sqrt
- Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
Variabelen gebruikt
Substraat bias-coëfficiënt
- Substrate Bias Coefficient is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van MOSFET-apparaten (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Dopingconcentratie van acceptor
-
(Gemeten in Elektronen per kubieke meter)
- Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
Oxidecapaciteit
-
(Gemeten in Farad)
- Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Dopingconcentratie van acceptor:
1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Oxidecapaciteit:
3.9 Farad --> 3.9 Farad Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
γ
s
= sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
)/C
ox
-->
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000)/3.9
Evalueren ... ...
γ
s
= 5.70407834987726E-07
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
5.70407834987726E-07 --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
5.70407834987726E-07
≈
5.7E-7
<--
Substraat bias-coëfficiënt
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
MOSFET
»
Analoge elektronica
»
MOS-transistor
»
Substraat bias-coëfficiënt
Credits
Gemaakt door
banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Dipanjona Mallick
Erfgoedinstituut voor technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
MOS-transistor Rekenmachines
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Gaan
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
= -(2*
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
)/(
Eindspanning
-
Initiële spanning
)*(
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
-
Eindspanning
)-
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
-
Initiële spanning
)))
Fermi-potentieel voor P-type
Gaan
Fermi-potentieel voor P-type
= (
[BoltZ]
*
Absolute temperatuur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsieke dragerconcentratie
/
Dopingconcentratie van acceptor
)
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
Gaan
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
=
Omtrek van zijwand
*
Zijwandverbindingscapaciteit
*
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid
Gaan
Zijwandverbindingscapaciteit
=
Zero Bias zijwandverbindingspotentieel
*
Diepte van zijwand
Bekijk meer >>
Substraat bias-coëfficiënt Formule
Substraat bias-coëfficiënt
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingconcentratie van acceptor
)/
Oxidecapaciteit
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!