Substraat bias-coëfficiënt Rekenmachine

✖Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van acceptor [N_A]			+10% -10%
✖Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.ⓘ Oxidecapaciteit [C_ox]			+10% -10%

✖Substrate Bias Coefficient is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van MOSFET-apparaten (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).ⓘ Substraat bias-coëfficiënt [γ_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Substraat bias-coëfficiënt

Formule

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

Voorbeeld

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32 electrons/cm³}}{3.9 F}

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Substraat bias-coëfficiënt Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Substraat bias-coëfficiënt = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor)/Oxidecapaciteit
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 1 Functies, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Substraat bias-coëfficiënt - Substrate Bias Coefficient is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van MOSFET-apparaten (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Dopingconcentratie van acceptor - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Dopingconcentratie van acceptor: 1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Oxidecapaciteit: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9

Evalueren ... ...

γ_s = 5.70407834987726E-07

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.70407834987726E-07 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

5.70407834987726E-07 ≈ 5.7E-7 <-- Substraat bias-coëfficiënt

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Substraat bias-coëfficiënt

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>

Substraat bias-coëfficiënt Formule

Substraat bias-coëfficiënt = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor)/Oxidecapaciteit
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!