Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT Rekenmachine

✖Een constante waarde van een apparaat wordt eenmaal gedefinieerd en er kan in een programma vele malen naar worden verwezen.ⓘ Apparaat constant [𝛕_F]			+10% -10%
✖Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctietransistor.ⓘ Collector Stroom [I_c]			+10% -10%

✖Opgeslagen elektronenlading wordt meestal gedaan door een condensator, bestaande uit twee platen gescheiden door een dun isolatiemateriaal dat bekend staat als het diëlektricum.ⓘ Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT [Q_n]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf PDF Image

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom
Q_n = 𝛕_F*I_c
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Opgeslagen elektronenlading - (Gemeten in Coulomb) - Opgeslagen elektronenlading wordt meestal gedaan door een condensator, bestaande uit twee platen gescheiden door een dun isolatiemateriaal dat bekend staat als het diëlektricum.
Apparaat constant - (Gemeten in Seconde) - Een constante waarde van een apparaat wordt eenmaal gedefinieerd en er kan in een programma vele malen naar worden verwezen.
Collector Stroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctietransistor.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Apparaat constant: 2 Seconde --> 2 Seconde Geen conversie vereist
Collector Stroom: 5 milliampère --> 0.005 Ampère (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Q_n = 𝛕_F*I_c --> 2*0.005

Evalueren ... ...

Q_n = 0.01

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.01 Coulomb --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.01 Coulomb <-- Opgeslagen elektronenlading

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT

LaTeX Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT

LaTeX Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom

Klein-signaalverspreidingscapaciteit

LaTeX Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie

Base-Emitter Junction Capaciteit

LaTeX Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

Bekijk meer >>

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT Formule

LaTeX Gaan

Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom
Q_n = 𝛕_F*I_c

Hoe sla je elektronen op?

Elektronen worden routinematig verzameld en opgeslagen in een elektronenopslagring. Het bestaat uit een reeks magnetische elementen, voornamelijk dipolen om de deeltjes in een ring te buigen en quadrupolen om de elektronen strak gefocust te houden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!