Equivalentiefactor voor zijwandspanning Rekenmachine

✖Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen verwijst naar de verbinding die wordt gevormd langs de verticale of zijwandoppervlakken van de transistorstructuur.ⓘ Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen [Φ_osw]			+10% -10%
✖Eindspanning verwijst naar het spanningsniveau dat wordt bereikt of gemeten aan het einde van een bepaald proces of een bepaalde gebeurtenis.ⓘ Eindspanning [V₂]			+10% -10%
✖Initiële spanning verwijst naar de spanning die aanwezig is op een specifiek punt in een circuit aan het begin van een bepaalde bewerking of onder specifieke omstandigheden.ⓘ Initiële spanning [V₁]			+10% -10%

✖Zijwandspanningsequivalentiefactor vertegenwoordigt de relatie tussen de spanning die wordt toegepast op een halfgeleiderapparaat en de resulterende verandering in de capaciteit van de zijwandovergang per oppervlakte-eenheid.ⓘ Equivalentiefactor voor zijwandspanning [K_eq(sw)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Equivalentiefactor voor zijwandspanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))
K_eq(sw) = -(2*sqrt(Φ_osw)/(V₂-V₁)*(sqrt(Φ_osw-V₂)-sqrt(Φ_osw-V₁)))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 4 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Equivalentiefactor voor zijwandspanning - Zijwandspanningsequivalentiefactor vertegenwoordigt de relatie tussen de spanning die wordt toegepast op een halfgeleiderapparaat en de resulterende verandering in de capaciteit van de zijwandovergang per oppervlakte-eenheid.
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen - (Gemeten in Volt) - Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen verwijst naar de verbinding die wordt gevormd langs de verticale of zijwandoppervlakken van de transistorstructuur.
Eindspanning - (Gemeten in Volt) - Eindspanning verwijst naar het spanningsniveau dat wordt bereikt of gemeten aan het einde van een bepaald proces of een bepaalde gebeurtenis.
Initiële spanning - (Gemeten in Volt) - Initiële spanning verwijst naar de spanning die aanwezig is op een specifiek punt in een circuit aan het begin van een bepaalde bewerking of onder specifieke omstandigheden.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen: 3.2E-05 Volt --> 3.2E-05 Volt Geen conversie vereist
Eindspanning: 6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt (Bekijk de conversie hier)
Initiële spanning: 5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

K_eq(sw) = -(2*sqrt(Φ_osw)/(V₂-V₁)*(sqrt(Φ_osw-V₂)-sqrt(Φ_osw-V₁))) --> -(2*sqrt(3.2E-05)/(6.135E-09-5.42E-09)*(sqrt(3.2E-05-6.135E-09)-sqrt(3.2E-05-5.42E-09)))

Evalueren ... ...

K_eq(sw) = 1.00009028568687

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.00009028568687 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.00009028568687 ≈ 1.00009 <-- Equivalentiefactor voor zijwandspanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

LaTeX Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

LaTeX Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

LaTeX Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>