Formule gebruikt
Spanningsreductie drempelwaarde kort kanaal = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))*Verbindingsdiepte)/(Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*2*Kanaallengte)*((sqrt(1+(2*Pn-verbindingsdepletiediepte met bron)/Verbindingsdiepte)-1)+(sqrt(1+(2*Pn-verbindingsdepletiediepte met afvoer)/Verbindingsdiepte)-1))ΔVT0 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*NA*abs(2*Φs))*xj)/(Coxide*2*L)*((sqrt(1+(2*xdS)/xj)-1)+(sqrt(1+(2*xdD)/xj)-1))Deze formule gebruikt
3 Constanten,
2 Functies,
8 Variabelen Gebruikte constanten
[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittiviteit van vacuüm Waarde genomen als 8.85E-12
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Functies die worden gebruikt
sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
abs - De absolute waarde van een getal is de afstand tot nul op de getallenlijn. Het is altijd een positieve waarde, omdat het de grootte van een getal vertegenwoordigt zonder rekening te houden met de richting., abs(Number)
Variabelen gebruikt
Spanningsreductie drempelwaarde kort kanaal -
(Gemeten in Volt) - Short Channel Threshold Voltage Reduction wordt gedefinieerd als een verlaging van de drempelspanning van de MOSFET als gevolg van een kort kanaaleffect.
Acceptorconcentratie -
(Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Oppervlaktepotentieel -
(Gemeten in Volt) - Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.
Verbindingsdiepte -
(Gemeten in Meter) - Verbindingsdiepte wordt gedefinieerd als de afstand vanaf het oppervlak van een halfgeleidermateriaal tot het punt waar een significante verandering in de concentratie van doteringsatomen optreedt.
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid -
(Gemeten in Farad per vierkante meter) - Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid wordt gedefinieerd als de capaciteit per oppervlakte-eenheid van de isolerende oxidelaag die de metalen poort scheidt van het halfgeleidermateriaal.
Kanaallengte -
(Gemeten in Meter) - Kanaallengte verwijst naar de fysieke lengte van het halfgeleidermateriaal tussen de source- en drain-terminals binnen de transistorstructuur.
Pn-verbindingsdepletiediepte met bron -
(Gemeten in Meter) - Pn-junctie-uitputtingsdiepte met bron wordt gedefinieerd als het gebied rond een pn-junctie waar ladingsdragers zijn uitgeput als gevolg van de vorming van een elektrisch veld.
Pn-verbindingsdepletiediepte met afvoer -
(Gemeten in Meter) - Pn-verbindingsdepletiediepte met drain wordt gedefinieerd als de uitbreiding van het depletiegebied in het halfgeleidermateriaal nabij de drainterminal.