✖Kanaalbreedte wordt gedefinieerd als de fysieke breedte van het halfgeleiderkanaal tussen de source- en drainterminals binnen de transistorstructuur.ⓘ Kanaalbreedte [Wc] | | | +10% -10% |
✖Verzadiging Elektronendriftsnelheid wordt gedefinieerd als de maximale snelheid die elektronen in een halfgeleidermateriaal bereiken onder invloed van een elektrisch veld.ⓘ Verzadiging Elektronendriftsnelheid [vd(sat)] | | | +10% -10% |
✖Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid wordt gedefinieerd als de capaciteit per oppervlakte-eenheid van de isolerende oxidelaag die de metalen poort scheidt van het halfgeleidermateriaal.ⓘ Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid [Coxide] | | | +10% -10% |
✖Saturation Drain Source Voltage wordt gedefinieerd als de spanning over de drain- en source-aansluitingen van een MOSFET wanneer de transistor in de verzadigingsmodus werkt.ⓘ Verzadigingsafvoer Bronspanning [VDsat] | | | +10% -10% |