GGD rekenmachine

Velweerstand van laag Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Bipolaire IC-fabricage MOS IC-fabricage Schmitt trigger

✖Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.ⓘ Aanval [q]			+10% -10%
✖Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.ⓘ Elektronendoping Siliciummobiliteit [μ_n]			+10% -10%
✖De evenwichtsconcentratie van het N-type is gelijk aan de dichtheid van donoratomen, omdat de elektronen voor geleiding uitsluitend door het donoratoom worden gegeven.ⓘ Evenwichtsconcentratie van N-type [N_d]			+10% -10%
✖Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.ⓘ Dikte van de laag [t]			+10% -10%

✖Plaatweerstand is de weerstand van een vierkant stuk dun materiaal met contacten aan twee tegenoverliggende zijden van het vierkant.ⓘ Velweerstand van laag [R_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geïntegreerde schakelingen (IC) Formule Pdf PDF Image

Velweerstand van laag Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)
R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Bladweerstand - (Gemeten in Ohm) - Plaatweerstand is de weerstand van een vierkant stuk dun materiaal met contacten aan twee tegenoverliggende zijden van het vierkant.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Elektronendoping Siliciummobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.
Evenwichtsconcentratie van N-type - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De evenwichtsconcentratie van het N-type is gelijk aan de dichtheid van donoratomen, omdat de elektronen voor geleiding uitsluitend door het donoratoom worden gegeven.
Dikte van de laag - (Gemeten in Meter) - Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie hier)
Elektronendoping Siliciummobiliteit: 0.38 Vierkante centimeter per volt seconde --> 3.8E-05 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)
Evenwichtsconcentratie van N-type: 45 1 per kubieke centimeter --> 45000000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Dikte van de laag: 100.5 Centimeter --> 1.005 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)

Evalueren ... ...

R_s = 0.116377178435309

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.116377178435309 Ohm --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.116377178435309 ≈ 0.116377 Ohm <-- Bladweerstand

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Velweerstand van laag

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

LaTeX Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Doorbraakspanning van collector-emitter

LaTeX Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Bekijk meer >>