KGV van drie getallen

Schottky-defectconcentratie Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Materiaal kunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Keramiek en composieten Fasediagrammen en fasetransformaties Mechanisch gedrag en testen

✖Aantal atomaire sites per kubieke meter.ⓘ Aantal atomaire sites [N]			+10% -10%
✖Activeringsenergie voor Schottky-vorming vertegenwoordigt de energie die nodig is voor de vorming van een Schottky-defect.ⓘ Activeringsenergie voor Schottky-vorming [Q_s]			+10% -10%
✖Universele gasconstante is een fysische constante die voorkomt in een vergelijking die het gedrag van een gas onder theoretisch ideale omstandigheden definieert. Zijn eenheid is joule * kelvin − 1 * mol − 1.ⓘ Universele Gas Constant [R]			+10% -10%
✖Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.ⓘ Temperatuur [T]			+10% -10%

✖Aantal Schottky-defecten vertegenwoordigt het evenwichtsaantal Schottky-defecten per kubieke meter.ⓘ Schottky-defectconcentratie [N_S]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Engineering Formule Pdf PDF Image

Schottky-defectconcentratie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Aantal Schottky-defecten = Aantal atomaire sites*exp(-Activeringsenergie voor Schottky-vorming/(2*Universele Gas Constant*Temperatuur))
N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

exp - In een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele., exp(Number)

Variabelen gebruikt

Aantal Schottky-defecten - Aantal Schottky-defecten vertegenwoordigt het evenwichtsaantal Schottky-defecten per kubieke meter.
Aantal atomaire sites - Aantal atomaire sites per kubieke meter.
Activeringsenergie voor Schottky-vorming - (Gemeten in Joule) - Activeringsenergie voor Schottky-vorming vertegenwoordigt de energie die nodig is voor de vorming van een Schottky-defect.
Universele Gas Constant - Universele gasconstante is een fysische constante die voorkomt in een vergelijking die het gedrag van een gas onder theoretisch ideale omstandigheden definieert. Zijn eenheid is joule * kelvin − 1 * mol − 1.
Temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aantal atomaire sites: 8E+28 --> Geen conversie vereist
Activeringsenergie voor Schottky-vorming: 2.6 Electron-volt --> 4.16566105800002E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)
Universele Gas Constant: 8.314 --> Geen conversie vereist
Temperatuur: 85 Kelvin --> 85 Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T)) --> 8E+28*exp(-4.16566105800002E-19/(2*8.314*85))

Evalueren ... ...

N_S = 8E+28

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

8E+28 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

8E+28 <-- Aantal Schottky-defecten

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Materiaal kunde » Keramiek en composieten » Schottky-defectconcentratie

Credits

Gemaakt door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Himanshi Sharma

Bhilai Institute of Technology (BEETJE), Raipur

Himanshi Sharma heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 800+ rekenmachines!

< Keramiek en composieten Rekenmachines

Young's Modulus van poreus materiaal

LaTeX Gaan Young's modulus van poreus materiaal = Young's modulus van niet-poreus materiaal*(1-(0.019*Volumepercentage porositeit)+(0.00009*Volumepercentage porositeit*Volumepercentage porositeit))

Schottky-defectconcentratie

LaTeX Gaan Aantal Schottky-defecten = Aantal atomaire sites*exp(-Activeringsenergie voor Schottky-vorming/(2*Universele Gas Constant*Temperatuur))

Kritieke vezellengte

LaTeX Gaan Kritieke vezellengte = Treksterkte van vezels*Vezeldiameter/(2*Kritische schuifspanning)

Young's Modulus van shear modulus

LaTeX Gaan Young-modulus = 2*Afschuifmodulus*(1+Poisson-verhouding)

Bekijk meer >>

Schottky-defectconcentratie Formule

LaTeX Gaan

Aantal Schottky-defecten = Aantal atomaire sites*exp(-Activeringsenergie voor Schottky-vorming/(2*Universele Gas Constant*Temperatuur))
N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T))

Schottky-gebreken

Schottky-defecten kunnen worden beschouwd als ontstaan door het verwijderen van een kation en een anion uit het inwendige van het kristal en ze vervolgens beide op een extern oppervlak te plaatsen. Aangezien zowel kationen als anionen dezelfde lading hebben, en aangezien er voor elke anionvacature een kationvacature bestaat, wordt de ladingsneutraliteit van het kristal gehandhaafd.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!