Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning
Vds = Vgs-Vth
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Verzadigingsspanning - (Gemeten in Volt) - Verzadigingsspanning in een transistor is een spanning tussen drain en source en zijn collector en emitter die nodig is voor verzadiging.
Poortbronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate Source-spanning van een transistor is de spanning die over de gate-source-aansluiting van de transistor valt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-naar-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Poortbronspanning: 1.25 Volt --> 1.25 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Vds = Vgs-Vth --> 1.25-0.7
Evalueren ... ...
Vds = 0.55
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.55 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.55 Volt <-- Verzadigingsspanning
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Akshada Kulkarni
Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana
Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Team Softusvista
Softusvista Office (Pune), India
Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders
​ LaTeX ​ Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)
Lengte elektronendiffusie
​ LaTeX ​ Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)
Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders
​ LaTeX ​ Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2
Mobiliteit van ladingdragers
​ LaTeX ​ Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldsterkte

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning Formule

​LaTeX ​Gaan
Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning
Vds = Vgs-Vth

Wat is een verzadigingsgebied?

Voor grotere afvoerbias verzadigt de afvoerstroom en wordt deze onafhankelijk van de afvoerbias. Dit gebied wordt natuurlijk het verzadigingsgebied genoemd. De afvoerstroom in verzadiging wordt afgeleid uit de lineaire gebiedsstroom die een parabool is met een maximum optredend bij verzadigingsspanning.

Wat gebeurt er als de verzadigingsspanning tussen afvoer en bron toeneemt?

Naarmate Vds toeneemt, neemt het aantal elektronen in de inversielaag af nabij de afvoer. Dit gebeurt om twee redenen. Ten eerste, omdat zowel de poort als de afvoer positief voorgespannen zijn, is het potentiaalverschil over het oxide kleiner nabij het afvoeruiteinde. Omdat de positieve lading op de poort wordt bepaald door de potentiaalval over het poortoxide, is de poortlading kleiner nabij het afvoeruiteinde. Dit impliceert dat de hoeveelheid negatieve lading in de halfgeleider die nodig is om ladingsneutraliteit te behouden, ook kleiner zal zijn bij de afvoer. Hierdoor daalt de elektronenconcentratie in de inversielaag. Ten tweede vergroot het verhogen van de spanning op de afvoer de uitputtingsbreedte rond de omgekeerde voorgespannen afvoerovergang. Omdat er meer negatieve acceptorionen worden blootgelegd, is er een kleiner aantal inversielaagelektronen nodig om de poortlading in evenwicht te brengen. Dit impliceert dat de elektronendichtheid in de inversielaag nabij de afvoer zou afnemen, zelfs als de ladingsdichtheid op de poort constant was.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!