Verzadigingsspanning van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Verzadigingsspanning van collector naar emitter (IGBT) = Basis-emitterspanning PNP IGBT+Afvoerstroom (IGBT)*(Geleidbaarheidsweerstand IGBT+N-kanaalweerstand (IGBT))
Vc-e(sat)(igbt) = VB-E(pnp)(igbt)+Id(igbt)*(Rs(igbt)+Rch(igbt))
Deze formule gebruikt 5 Variabelen
Variabelen gebruikt
Verzadigingsspanning van collector naar emitter (IGBT) - (Gemeten in Volt) - Collector-emitter-verzadigingsspanning (IGBT) van een bipolaire transistor met geïsoleerde poort is de spanningsval over de IGBT wanneer deze is ingeschakeld en stroom geleidt.
Basis-emitterspanning PNP IGBT - (Gemeten in Volt) - Basis-emitterspanning PNP IGBT. Een IGBT is een hybride apparaat dat de voordelen van een MOSFET en een BJT combineert.
Afvoerstroom (IGBT) - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom (IGBT) is de stroom die door de afvoerovergang van de MOSFET en IGBT stroomt.
Geleidbaarheidsweerstand IGBT - (Gemeten in Ohm) - Geleidbaarheidsweerstand IGBT is de weerstand wanneer een IGBT is ingeschakeld en stroom geleidt.
N-kanaalweerstand (IGBT) - (Gemeten in Ohm) - N-kanaalweerstand (IGBT) is de weerstand van het halfgeleidermateriaal in het apparaat wanneer de IGBT is ingeschakeld.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Basis-emitterspanning PNP IGBT: 2.15 Volt --> 2.15 Volt Geen conversie vereist
Afvoerstroom (IGBT): 105 milliampère --> 0.105 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
Geleidbaarheidsweerstand IGBT: 1.03 Kilohm --> 1030 Ohm (Bekijk de conversie ​hier)
N-kanaalweerstand (IGBT): 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Vc-e(sat)(igbt) = VB-E(pnp)(igbt)+Id(igbt)*(Rs(igbt)+Rch(igbt)) --> 2.15+0.105*(1030+10590)
Evalueren ... ...
Vc-e(sat)(igbt) = 1222.25
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1222.25 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
1222.25 Volt <-- Verzadigingsspanning van collector naar emitter (IGBT)
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Mohammed Fazil V
Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru
Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

IGBT Rekenmachines

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status
​ LaTeX ​ Gaan Spanningsval OP podium (IGBT) = Voorwaartse stroom (IGBT)*N-kanaalweerstand (IGBT)+Voorwaartse stroom (IGBT)*Driftweerstand (IGBT)+Spanning Pn Junction 1 (IGBT)
IGBT-uitschakeltijd
​ LaTeX ​ Gaan Uitschakeltijd (IGBT) = Vertragingstijd (IGBT)+Initiële valtijd (IGBT)+Laatste herfsttijd (IGBT)
Ingangscapaciteit van IGBT
​ LaTeX ​ Gaan Ingangscapaciteit (IGBT) = Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)+Poort naar collectorcapaciteit (IGBT)
Emitterstroom van IGBT
​ LaTeX ​ Gaan Emitterstroom (IGBT) = Gatstroom (IGBT)+Elektronische stroom (IGBT)

Verzadigingsspanning van IGBT Formule

​LaTeX ​Gaan
Verzadigingsspanning van collector naar emitter (IGBT) = Basis-emitterspanning PNP IGBT+Afvoerstroom (IGBT)*(Geleidbaarheidsweerstand IGBT+N-kanaalweerstand (IGBT))
Vc-e(sat)(igbt) = VB-E(pnp)(igbt)+Id(igbt)*(Rs(igbt)+Rch(igbt))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!