Verzadigingstijd Rekenmachine

✖Belastingscapaciteit is de totale capaciteit die is aangesloten op de uitgangsterminal van de transistor, inclusief externe componenten en de eigen parasitaire capaciteit van de MOSFET.ⓘ Belastingscapaciteit [C_load]			+10% -10%
✖Transconductance Process Parameter is een apparaatspecifieke constante die het vermogen van de transistor karakteriseert om een verandering in de poortspanning om te zetten in een verandering in de uitgangsstroom.ⓘ Transconductantieprocesparameter [k_n]			+10% -10%
✖Hoge uitgangsspanning is het maximale spanningsniveau dat de transistor kan bereiken aan de uitgangsterminal wanneer deze volledig is ingeschakeld (werkend in verzadiging).ⓘ Hoge uitgangsspanning [V_OH]			+10% -10%
✖Drempelspanning is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is in een MOSFET om deze "aan" te zetten en een aanzienlijke stroom te laten vloeien.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%

✖Verzadigingstijd is de tijd die nodig is voordat de uitgangsspanning van een MOSFET een bepaald niveau bereikt (Vⓘ Verzadigingstijd [T_sat]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Verzadigingstijd Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzadigingstijd = -2*Belastingscapaciteit/(Transconductantieprocesparameter*(Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)^2)*int(1,x,Hoge uitgangsspanning,Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)
T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

int - De bepaalde integraal kan worden gebruikt om het netto getekende oppervlak te berekenen. Dit is het oppervlak boven de x-as min het oppervlak onder de x-as., int(expr, arg, from, to)

Variabelen gebruikt

Verzadigingstijd - (Gemeten in Seconde) - Verzadigingstijd is de tijd die nodig is voordat de uitgangsspanning van een MOSFET een bepaald niveau bereikt (V
Belastingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Belastingscapaciteit is de totale capaciteit die is aangesloten op de uitgangsterminal van de transistor, inclusief externe componenten en de eigen parasitaire capaciteit van de MOSFET.
Transconductantieprocesparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - Transconductance Process Parameter is een apparaatspecifieke constante die het vermogen van de transistor karakteriseert om een verandering in de poortspanning om te zetten in een verandering in de uitgangsstroom.
Hoge uitgangsspanning - (Gemeten in Volt) - Hoge uitgangsspanning is het maximale spanningsniveau dat de transistor kan bereiken aan de uitgangsterminal wanneer deze volledig is ingeschakeld (werkend in verzadiging).
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is in een MOSFET om deze "aan" te zetten en een aanzienlijke stroom te laten vloeien.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Belastingscapaciteit: 9.77 Farad --> 9.77 Farad Geen conversie vereist
Transconductantieprocesparameter: 4.553 Ampère per vierkante volt --> 4.553 Ampère per vierkante volt Geen conversie vereist
Hoge uitgangsspanning: 3.789 Volt --> 3.789 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T) --> -2*9.77/(4.553*(3.789-5.91)^2)*int(1,x,3.789,3.789-5.91)

Evalueren ... ...

T_sat = 5.63810361511811

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.63810361511811 Seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

5.63810361511811 ≈ 5.638104 Seconde <-- Verzadigingstijd

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Verzadigingstijd

Credits

Gemaakt door Vignesh Naidu

Vellore Instituut voor Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

LaTeX Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

LaTeX Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

LaTeX Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>