Verzadigingsstroom in transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
Deze formule gebruikt 6 Variabelen
Variabelen gebruikt
Verzadigingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsstroom verwijst naar de maximale stroom die door de transistor kan stromen wanneer deze volledig is ingeschakeld.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Zenderbasisverbindingsgebied - (Gemeten in Plein Meter) - Emitter Base Junction Area is een PN-overgang gevormd tussen het zwaar gedoteerde P-type materiaal (emitter) en het licht gedoteerde N-type materiaal (basis) van de transistor.
Effectieve verspreiding - De effectieve diffusie is een parameter die verband houdt met het diffusieproces van dragers en wordt beïnvloed door materiaaleigenschappen en de geometrie van de halfgeleiderovergang.
Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Totale onzuiverheid - (Gemeten in Plein Meter) - Totale onzuiverheid definieert de onzuiverheden die met een atoom per oppervlakte-eenheid in een basis worden gemengd, of de hoeveelheid onzuiverheid die aan een intrinsieke halfgeleider wordt toegevoegd, varieert het niveau van geleidbaarheid.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie ​hier)
Zenderbasisverbindingsgebied: 1.75 Plein Centimeter --> 0.000175 Plein Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Effectieve verspreiding: 0.5 --> Geen conversie vereist
Intrinsieke concentratie: 1.32 1 per kubieke centimeter --> 1320000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie ​hier)
Totale onzuiverheid: 3600000000 Plein Centimeter --> 360000 Plein Meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb --> (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000
Evalueren ... ...
Isat = 2.1175
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
2.1175 Ampère --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
2.1175 Ampère <-- Verzadigingsstroom
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Rahul Gupta
Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Ritwik Tripathi
Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))
Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
Onzuiverheid met intrinsieke concentratie
​ LaTeX ​ Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
Doorbraakspanning van collector-emitter
​ LaTeX ​ Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Verzadigingsstroom in transistor Formule

​LaTeX ​Gaan
Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!