Resistieve belasting Minimale ingangsspanning CMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Resistieve belasting Minimale ingangsspanning = Zero Bias-drempelspanning+sqrt((8*Voedingsspanning)/(3*Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))
VIH(RL) = VT0+sqrt((8*VDD)/(3*Kn*RL))-(1/(Kn*RL))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen
Functies die worden gebruikt
sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
Variabelen gebruikt
Resistieve belasting Minimale ingangsspanning - (Gemeten in Volt) - De minimale ingangsspanning voor resistieve belasting wordt gedefinieerd als de minimale ingangsspanning die kan worden geïnterpreteerd als logische "1" wanneer het belastingstype weerstand is.
Zero Bias-drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Nul-voorspanningsdrempelspanning verwijst naar de drempelspanning van een MOSFET wanneer er geen extra voorspanning op het substraat wordt aangelegd, doorgaans gemeten tussen poort en bron.
Voedingsspanning - (Gemeten in Volt) - Voedingsspanning verwijst naar het spanningsniveau dat door een stroombron wordt geleverd aan een elektrisch circuit of apparaat, en dient als potentiaalverschil voor de stroomsterkte en werking.
Transconductantie van NMOS - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - Transconductantie van NMOS verwijst naar de verhouding van de verandering in de uitgangsafvoerstroom tot de verandering in de ingangspoort-bronspanning wanneer de afvoer-bronspanning constant is.
Belastingsweerstand - (Gemeten in Ohm) - Belastingsweerstand is de weerstand die wordt geboden door de externe belasting die op een circuit is aangesloten, waardoor de hoeveelheid stroom wordt bepaald en de spanning en stroomverdeling van het circuit wordt beïnvloed.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Zero Bias-drempelspanning: 1.4 Volt --> 1.4 Volt Geen conversie vereist
Voedingsspanning: 3.3 Volt --> 3.3 Volt Geen conversie vereist
Transconductantie van NMOS: 200 Microampère per vierkante volt --> 0.0002 Ampère per vierkante volt (Bekijk de conversie ​hier)
Belastingsweerstand: 2 Megohm --> 2000000 Ohm (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
VIH(RL) = VT0+sqrt((8*VDD)/(3*Kn*RL))-(1/(Kn*RL)) --> 1.4+sqrt((8*3.3)/(3*0.0002*2000000))-(1/(0.0002*2000000))
Evalueren ... ...
VIH(RL) = 1.54582396974191
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.54582396974191 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.54582396974191 1.545824 Volt <-- Resistieve belasting Minimale ingangsspanning
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Prijanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad
Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

16 CMOS-omvormers Rekenmachines

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met lage naar hoge output
​ Gaan Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output = (Omvormer CMOS-belastingscapaciteit/(Transconductantie van PMOS*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))))*(((2*abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel)))+ln((4*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/Voedingsspanning)-1))
Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met hoge naar lage output
​ Gaan Tijd voor overgang van hoog naar laag output = (Omvormer CMOS-belastingscapaciteit/(Transconductantie van NMOS*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)))*((2*Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning/(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning))+ln((4*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)/Voedingsspanning)-1))
Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning CMOS
​ Gaan Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning = Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-sqrt((Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))^2-(2*Voedingsspanning/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))
Maximale ingangsspanning CMOS
​ Gaan Maximale ingangsspanning CMOS = (2*Uitgangsspanning voor maximale invoer+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)-Voedingsspanning+Transconductantieverhouding*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/(1+Transconductantieverhouding)
Drempelspanning CMOS
​ Gaan Drempelspanning = (Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel+sqrt(1/Transconductantieverhouding)*(Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)))/(1+sqrt(1/Transconductantieverhouding))
Resistieve belasting Minimale ingangsspanning CMOS
​ Gaan Resistieve belasting Minimale ingangsspanning = Zero Bias-drempelspanning+sqrt((8*Voedingsspanning)/(3*Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))
Minimale ingangsspanning CMOS
​ Gaan Minimale ingangsspanning = (Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)+Transconductantieverhouding*(2*Uitgangsspanning+Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel))/(1+Transconductantieverhouding)
Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer
​ Gaan Omvormer CMOS-belastingscapaciteit = PMOS Gate-afvoercapaciteit+NMOS Gate Drain-capaciteit+PMOS-afvoerbulkcapaciteit+NMOS-afvoer bulkcapaciteit+Omvormer CMOS interne capaciteit+Omvormer CMOS-poortcapaciteit
Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS
​ Gaan Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS = Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))
Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS
​ Gaan Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2
Gemiddelde vermogensdissipatie CMOS
​ Gaan Gemiddelde vermogensdissipatie = Omvormer CMOS-belastingscapaciteit*(Voedingsspanning)^2*Frequentie
Maximale ingangsspanning voor symmetrische CMOS
​ Gaan Maximale ingangsspanning Symmetrische CMOS = (3*Voedingsspanning+2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8
Minimale ingangsspanning voor symmetrische CMOS
​ Gaan Minimale ingangsspanning Symmetrische CMOS = (5*Voedingsspanning-2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8
Oscillatieperiode Ringoscillator CMOS
​ Gaan Oscillatieperiode = 2*Aantal fasen Ringoscillator*Gemiddelde voortplantingsvertraging
Transconductantieverhouding CMOS
​ Gaan Transconductantieverhouding = Transconductantie van NMOS/Transconductantie van PMOS
Ruismarge voor CMOS met hoog signaal
​ Gaan Ruismarge voor hoog signaal = Maximale uitgangsspanning-Minimale ingangsspanning

Resistieve belasting Minimale ingangsspanning CMOS Formule

Resistieve belasting Minimale ingangsspanning = Zero Bias-drempelspanning+sqrt((8*Voedingsspanning)/(3*Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))
VIH(RL) = VT0+sqrt((8*VDD)/(3*Kn*RL))-(1/(Kn*RL))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!