Weerstand van verspreide laag Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))
R = (1/σ)*(L/(W*t))
Deze formule gebruikt 5 Variabelen
Variabelen gebruikt
Weerstand - (Gemeten in Ohm) - Weerstand is de eigenschap van een materiaal dat de stroom van elektrische stroom beperkt.
Ohmse geleidbaarheid - (Gemeten in Siemens/Meter) - Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.
Lengte van de verspreide laag - (Gemeten in Meter) - Lengte van verspreide laag is de gemeten afstand van het ene uiteinde naar het andere van de langere of langste zijde van een object.
Breedte van verspreide laag - (Gemeten in Meter) - De breedte van de verspreide laag is de horizontale afstand gemeten van links naar rechts van een specifiek mediatype.
Dikte van de laag - (Gemeten in Meter) - Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Ohmse geleidbaarheid: 0.085 Mho/Centimeter --> 8.5 Siemens/Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Lengte van de verspreide laag: 25 Centimeter --> 0.25 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Breedte van verspreide laag: 4 Centimeter --> 0.04 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Dikte van de laag: 100.5 Centimeter --> 1.005 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
R = (1/σ)*(L/(W*t)) --> (1/8.5)*(0.25/(0.04*1.005))
Evalueren ... ...
R = 0.731635937957272
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.731635937957272 Ohm --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.731635937957272 0.731636 Ohm <-- Weerstand
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Rahul Gupta
Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))
Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
Onzuiverheid met intrinsieke concentratie
​ LaTeX ​ Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
Doorbraakspanning van collector-emitter
​ LaTeX ​ Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Weerstand van verspreide laag Formule

​LaTeX ​Gaan
Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))
R = (1/σ)*(L/(W*t))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!