KGV rekenmachine

Weerstand van verspreide laag Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Bipolaire IC-fabricage MOS IC-fabricage Schmitt trigger

✖Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.ⓘ Ohmse geleidbaarheid [σ]			+10% -10%
✖Lengte van verspreide laag is de gemeten afstand van het ene uiteinde naar het andere van de langere of langste zijde van een object.ⓘ Lengte van de verspreide laag [L]			+10% -10%
✖De breedte van de verspreide laag is de horizontale afstand gemeten van links naar rechts van een specifiek mediatype.ⓘ Breedte van verspreide laag [W]			+10% -10%
✖Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.ⓘ Dikte van de laag [t]			+10% -10%

✖Weerstand is de eigenschap van een materiaal dat de stroom van elektrische stroom beperkt.ⓘ Weerstand van verspreide laag [R]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Weerstand van verspreide laag

Formule

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

Voorbeeld

0.731636 Ω = (\frac{1}{0.085 mho/cm}) \cdot (\frac{25 cm}{4 cm \cdot 100.5 cm})

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geïntegreerde schakelingen (IC) Formule Pdf PDF Image

Weerstand van verspreide laag Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))
R = (1/σ)*(L/(W*t))
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Weerstand - (Gemeten in Ohm) - Weerstand is de eigenschap van een materiaal dat de stroom van elektrische stroom beperkt.
Ohmse geleidbaarheid - (Gemeten in Siemens/Meter) - Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.
Lengte van de verspreide laag - (Gemeten in Meter) - Lengte van verspreide laag is de gemeten afstand van het ene uiteinde naar het andere van de langere of langste zijde van een object.
Breedte van verspreide laag - (Gemeten in Meter) - De breedte van de verspreide laag is de horizontale afstand gemeten van links naar rechts van een specifiek mediatype.
Dikte van de laag - (Gemeten in Meter) - Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Ohmse geleidbaarheid: 0.085 Mho/Centimeter --> 8.5 Siemens/Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van de verspreide laag: 25 Centimeter --> 0.25 Meter (Bekijk de conversie hier)
Breedte van verspreide laag: 4 Centimeter --> 0.04 Meter (Bekijk de conversie hier)
Dikte van de laag: 100.5 Centimeter --> 1.005 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

R = (1/σ)*(L/(W*t)) --> (1/8.5)*(0.25/(0.04*1.005))

Evalueren ... ...

R = 0.731635937957272

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.731635937957272 Ohm --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.731635937957272 ≈ 0.731636 Ohm <-- Weerstand

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Weerstand van verspreide laag

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Bekijk meer >>

Weerstand van verspreide laag Formule

Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))
R = (1/σ)*(L/(W*t))

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!