Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden Rekenmachine

✖Aantal parallelle drivertransistors verwijst naar het aantal parallelle drivertransistors in het circuit.ⓘ Aantal parallelle drivertransistors [n]			+10% -10%
✖Elektronenmobiliteit in MOSFET beschrijft hoe gemakkelijk elektronen door het kanaal kunnen bewegen, waardoor de stroom bij een bepaalde spanning rechtstreeks wordt beïnvloed.ⓘ Elektronenmobiliteit [μ_n]			+10% -10%
✖Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.ⓘ Oxidecapaciteit [C_ox]			+10% -10%
✖Kanaalbreedte vertegenwoordigt de breedte van het geleidende kanaal binnen een MOSFET, wat rechtstreeks van invloed is op de hoeveelheid stroom die het kan verwerken.ⓘ Kanaalbreedte [W]			+10% -10%
✖Kanaallengte in een MOSFET is de afstand tussen de source- en drain-regio's, die bepaalt hoe gemakkelijk stroom vloeit en de prestaties van de transistor beïnvloedt.ⓘ Kanaallengte [L]			+10% -10%
✖Gate Source Voltage is de spanning die wordt aangelegd tussen de gate- en source-aansluitingen van een MOSFET.ⓘ Poortbronspanning [V_GS]			+10% -10%
✖Drempelspanning is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is in een MOSFET om deze "aan" te zetten en een aanzienlijke stroom te laten vloeien.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%

✖Saturation Region Pull Down Current is de stroom door de weerstand wanneer een pull-down-weerstand wordt gebruikt met een N-kanaal MOSFET in de verzadigingsmodus.ⓘ Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden [I_D(sat)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzadigingsregio Pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2)
I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 8 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sum - Sommatie of sigma (∑) notatie is een methode die gebruikt wordt om een lange som op een beknopte manier uit te schrijven., sum(i, from, to, expr)

Variabelen gebruikt

Verzadigingsregio Pull-downstroom - (Gemeten in Ampère) - Saturation Region Pull Down Current is de stroom door de weerstand wanneer een pull-down-weerstand wordt gebruikt met een N-kanaal MOSFET in de verzadigingsmodus.
Aantal parallelle drivertransistors - Aantal parallelle drivertransistors verwijst naar het aantal parallelle drivertransistors in het circuit.
Elektronenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronenmobiliteit in MOSFET beschrijft hoe gemakkelijk elektronen door het kanaal kunnen bewegen, waardoor de stroom bij een bepaalde spanning rechtstreeks wordt beïnvloed.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte vertegenwoordigt de breedte van het geleidende kanaal binnen een MOSFET, wat rechtstreeks van invloed is op de hoeveelheid stroom die het kan verwerken.
Kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Kanaallengte in een MOSFET is de afstand tussen de source- en drain-regio's, die bepaalt hoe gemakkelijk stroom vloeit en de prestaties van de transistor beïnvloedt.
Poortbronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate Source Voltage is de spanning die wordt aangelegd tussen de gate- en source-aansluitingen van een MOSFET.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is in een MOSFET om deze "aan" te zetten en een aanzienlijke stroom te laten vloeien.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aantal parallelle drivertransistors: 11 --> Geen conversie vereist
Elektronenmobiliteit: 9.92 Vierkante meter per volt per seconde --> 9.92 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Oxidecapaciteit: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Geen conversie vereist
Kanaalbreedte: 2.678 Meter --> 2.678 Meter Geen conversie vereist
Kanaallengte: 3.45 Meter --> 3.45 Meter Geen conversie vereist
Poortbronspanning: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2)

Evalueren ... ...

I_D(sat) = 101550.118939559

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

101550.118939559 Ampère --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

101550.118939559 ≈ 101550.1 Ampère <-- Verzadigingsregio Pull-downstroom

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden

Credits

Gemaakt door Vignesh Naidu

Vellore Instituut voor Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

LaTeX Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

LaTeX Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

LaTeX Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>