Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden Rekenmachine

✖Aantal parallelle drivertransistors verwijst naar het aantal parallelle drivertransistors in het circuit.ⓘ Aantal parallelle drivertransistors [n]			+10% -10%
✖Elektronenmobiliteit in MOSFET beschrijft hoe gemakkelijk elektronen door het kanaal kunnen bewegen, waardoor de stroom bij een bepaalde spanning rechtstreeks wordt beïnvloed.ⓘ Elektronenmobiliteit [μ_n]			+10% -10%
✖Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.ⓘ Oxidecapaciteit [C_ox]			+10% -10%
✖Kanaalbreedte vertegenwoordigt de breedte van het geleidende kanaal binnen een MOSFET, wat rechtstreeks van invloed is op de hoeveelheid stroom die het kan verwerken.ⓘ Kanaalbreedte [W]			+10% -10%
✖Kanaallengte in een MOSFET is de afstand tussen de source- en drain-regio's, die bepaalt hoe gemakkelijk stroom vloeit en de prestaties van de transistor beïnvloedt.ⓘ Kanaallengte [L]			+10% -10%
✖Gate Source Voltage is de spanning die wordt aangelegd tussen de gate- en source-aansluitingen van een MOSFET.ⓘ Poortbronspanning [V_GS]			+10% -10%
✖Drempelspanning is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is in een MOSFET om deze "aan" te zetten en een aanzienlijke stroom te laten vloeien.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%
✖Uitgangsspanning in een n-kanaals MOSFET-circuit met een pull-down-weerstand, Vⓘ Uitgangsspanning [V_out]			+10% -10%

✖Lineaire regio pull-downstroom is de stroom door de weerstand wanneer een pull-down-weerstand wordt gebruikt met een N-kanaal MOSFET in lineaire modus.ⓘ Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden [I_D(linear)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Lineaire regio pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(2*(Poortbronspanning-Drempelspanning)*Uitgangsspanning-Uitgangsspanning^2))
I_D(linear) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(2*(V_GS-V_T)*V_out-V_out^2))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 9 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sum - Sommatie of sigma (∑) notatie is een methode die gebruikt wordt om een lange som op een beknopte manier uit te schrijven., sum(i, from, to, expr)

Variabelen gebruikt

Lineaire regio pull-downstroom - (Gemeten in Ampère) - Lineaire regio pull-downstroom is de stroom door de weerstand wanneer een pull-down-weerstand wordt gebruikt met een N-kanaal MOSFET in lineaire modus.
Aantal parallelle drivertransistors - Aantal parallelle drivertransistors verwijst naar het aantal parallelle drivertransistors in het circuit.
Elektronenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronenmobiliteit in MOSFET beschrijft hoe gemakkelijk elektronen door het kanaal kunnen bewegen, waardoor de stroom bij een bepaalde spanning rechtstreeks wordt beïnvloed.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte vertegenwoordigt de breedte van het geleidende kanaal binnen een MOSFET, wat rechtstreeks van invloed is op de hoeveelheid stroom die het kan verwerken.
Kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Kanaallengte in een MOSFET is de afstand tussen de source- en drain-regio's, die bepaalt hoe gemakkelijk stroom vloeit en de prestaties van de transistor beïnvloedt.
Poortbronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate Source Voltage is de spanning die wordt aangelegd tussen de gate- en source-aansluitingen van een MOSFET.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is in een MOSFET om deze "aan" te zetten en een aanzienlijke stroom te laten vloeien.
Uitgangsspanning - (Gemeten in Volt) - Uitgangsspanning in een n-kanaals MOSFET-circuit met een pull-down-weerstand, V

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aantal parallelle drivertransistors: 11 --> Geen conversie vereist
Elektronenmobiliteit: 9.92 Vierkante meter per volt per seconde --> 9.92 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Oxidecapaciteit: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Geen conversie vereist
Kanaalbreedte: 2.678 Meter --> 2.678 Meter Geen conversie vereist
Kanaallengte: 3.45 Meter --> 3.45 Meter Geen conversie vereist
Poortbronspanning: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Geen conversie vereist
Uitgangsspanning: 4.89 Volt --> 4.89 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_D(linear) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(2*(V_GS-V_T)*V_out-V_out^2)) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(2*(29.65-5.91)*4.89-4.89^2))

Evalueren ... ...

I_D(linear) = 37526.2792793155

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

37526.2792793155 Ampère --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

37526.2792793155 ≈ 37526.28 Ampère <-- Lineaire regio pull-downstroom

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden

Credits

Gemaakt door Vignesh Naidu

Vellore Instituut voor Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

LaTeX Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

LaTeX Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

LaTeX Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>