KGV rekenmachine

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie Analoog VLSI-ontwerp

✖Vermogensdichtheid MOSFET wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het uitgangsvermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert hoeveel stroom er binnen een bepaalde ruimte wordt verdeeld.ⓘ MOSFET met vermogensdichtheid [P_D]			+10% -10%
✖De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.ⓘ Schaalfactor [Sf]			+10% -10%

✖Vermogensdichtheid na spanningsschaling wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het geleverde vermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert de stroomverdeling binnen een bepaalde ruimte wanneer MOSFET wordt verkleind door middel van de spanningsschaalmethode.ⓘ Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI [P_D']

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Vermogensdichtheid na spanningsschaling = MOSFET met vermogensdichtheid*(Schaalfactor)^3
P_D' = P_D*(Sf)^3
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Vermogensdichtheid na spanningsschaling - Vermogensdichtheid na spanningsschaling wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het geleverde vermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert de stroomverdeling binnen een bepaalde ruimte wanneer MOSFET wordt verkleind door middel van de spanningsschaalmethode.
MOSFET met vermogensdichtheid - Vermogensdichtheid MOSFET wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het uitgangsvermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert hoeveel stroom er binnen een bepaalde ruimte wordt verdeeld.
Schaalfactor - De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

MOSFET met vermogensdichtheid: 20 --> Geen conversie vereist
Schaalfactor: 1.5 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

P_D' = P_D*(Sf)^3 --> 20*(1.5)^3

Evalueren ... ...

P_D' = 67.5

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

67.5 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

67.5 <-- Vermogensdichtheid na spanningsschaling

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt

LaTeX Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

DIBL-coëfficiënt

LaTeX Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Kanaallading

LaTeX Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Kritieke spanning

LaTeX Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Bekijk meer >>

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Formule

LaTeX Gaan

Vermogensdichtheid na spanningsschaling = MOSFET met vermogensdichtheid*(Schaalfactor)^3
P_D' = P_D*(Sf)^3

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!