GGD van twee getallen

Potentieel tussen Bron en Lichaam Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Analoog VLSI-ontwerp VLSI-materiaaloptimalisatie

✖Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.ⓘ Oppervlaktepotentieel [Φ_s]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.ⓘ Acceptorconcentratie [N_A]			+10% -10%
✖Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.ⓘ Intrinsieke concentratie [N_i]			+10% -10%

✖Het potentiaalverschil van het bronlichaam wordt berekend wanneer een extern aangelegde potentiaal gelijk is aan de som van de spanningsval over de oxidelaag en de spanningsval over de halfgeleider.ⓘ Potentieel tussen Bron en Lichaam [V_sb]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Potentieel tussen Bron en Lichaam Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Bron Lichaamspotentieelverschil = Oppervlaktepotentieel/(2*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 4 Variabelen

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook wel logaritme met grondtal e genoemd, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Bron Lichaamspotentieelverschil - (Gemeten in Volt) - Het potentiaalverschil van het bronlichaam wordt berekend wanneer een extern aangelegde potentiaal gelijk is aan de som van de spanningsval over de oxidelaag en de spanningsval over de halfgeleider.
Oppervlaktepotentieel - (Gemeten in Volt) - Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Oppervlaktepotentieel: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie: 1E+16 1 per kubieke centimeter --> 1E+22 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Intrinsieke concentratie: 14500000000 1 per kubieke centimeter --> 1.45E+16 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))

Evalueren ... ...

V_sb = 0.255133406849134

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.255133406849134 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.255133406849134 ≈ 0.255133 Volt <-- Bron Lichaamspotentieelverschil

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » Analoog VLSI-ontwerp » Potentieel tussen Bron en Lichaam

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Analoog VLSI-ontwerp Rekenmachines

Afvoervoltage

LaTeX Gaan Basiscollectorspanning = sqrt(Dynamische kracht/(Frequentie*Capaciteit))

Poort naar basiscapaciteit

LaTeX Gaan Poort naar basiscapaciteit = Poortcapaciteit-(Poort naar broncapaciteit+Poort naar afvoercapaciteit)

Poort naar kanaalspanning

LaTeX Gaan Poort naar kanaalspanning = (Kanaalkosten/Poortcapaciteit)+Drempelspanning

Poort naar verzamelaarpotentieel

LaTeX Gaan Poort naar kanaalspanning = (Poort naar bronpotentieel+Poort om potentieel af te tappen)/2

Bekijk meer >>

Potentieel tussen Bron en Lichaam Formule

LaTeX Gaan

Bron Lichaamspotentieelverschil = Oppervlaktepotentieel/(2*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))

Hoe beïnvloedt het lichaam de drempelspanning?

Transistors is een apparaat met vier terminals. Ze zijn poort, bron, afvoer en lichaam. Wanneer een spanning Vsb wordt aangelegd tussen de bron en het lichaam, verhoogt dit de hoeveelheid lading die nodig is om het kanaal om te keren, en dus verhoogt het de drempelspanning. Het lichaamseffect verslechtert de prestaties van pass-transistors die proberen de zwakke waarde te passeren verder.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!