Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Winnende percentage
Gemengde fractie
KGV van twee getallen
PN-verbindingsdepletiediepte met afvoer VLSI Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Meer >>
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Meer >>
⤿
VLSI-fabricage
Analoge communicatie
Analoge elektronica
Antenne- en golfvoortplanting
Meer >>
⤿
VLSI-materiaaloptimalisatie
Analoog VLSI-ontwerp
✖
Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
ⓘ
Acceptorconcentratie [N
A
]
1 per kubieke centimeter
1 per kubieke meter
per liter
+10%
-10%
✖
De ingebouwde junctiespanning wordt gedefinieerd als de spanning die bestaat over een halfgeleiderjunctie in thermisch evenwicht, waarbij geen externe spanning wordt toegepast.
ⓘ
Junction Ingebouwde spanning [Ø
0
]
Kilovolt
Megavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Planck Voltage
Volt
+10%
-10%
✖
Afvoer naar bron Potentieel is het potentieel tussen afvoer en bron.
ⓘ
Afvoer naar bronpotentieel [V
ds
]
Kilovolt
Megavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Planck Voltage
Volt
+10%
-10%
✖
Pn-verbindingsdepletiediepte met drain wordt gedefinieerd als de uitbreiding van het depletiegebied in het halfgeleidermateriaal nabij de drainterminal.
ⓘ
PN-verbindingsdepletiediepte met afvoer VLSI [x
dD
]
Angstrom
astronomische eenheid
Centimeter
decimeter
Equatoriale straal aarde
fermi
Voet
duim
Kilometer
Lichtjaar
Meter
Microinch
Micrometer
Micron
Mijl
Millimeter
Nanometer
picometer
Yard
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
LaTeX
Reset
👍
Downloaden Elektronica Formule Pdf
PN-verbindingsdepletiediepte met afvoer VLSI Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Pn-verbindingsdepletiediepte met afvoer
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
Acceptorconcentratie
))*(
Junction Ingebouwde spanning
+
Afvoer naar bronpotentieel
))
x
dD
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))*(
Ø
0
+
V
ds
))
Deze formule gebruikt
3
Constanten
,
1
Functies
,
4
Variabelen
Gebruikte constanten
[Permitivity-silicon]
- Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Permittiviteit van vacuüm Waarde genomen als 8.85E-12
[Charge-e]
- Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Functies die worden gebruikt
sqrt
- Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
Variabelen gebruikt
Pn-verbindingsdepletiediepte met afvoer
-
(Gemeten in Meter)
- Pn-verbindingsdepletiediepte met drain wordt gedefinieerd als de uitbreiding van het depletiegebied in het halfgeleidermateriaal nabij de drainterminal.
Acceptorconcentratie
-
(Gemeten in 1 per kubieke meter)
- Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Junction Ingebouwde spanning
-
(Gemeten in Volt)
- De ingebouwde junctiespanning wordt gedefinieerd als de spanning die bestaat over een halfgeleiderjunctie in thermisch evenwicht, waarbij geen externe spanning wordt toegepast.
Afvoer naar bronpotentieel
-
(Gemeten in Volt)
- Afvoer naar bron Potentieel is het potentieel tussen afvoer en bron.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Acceptorconcentratie:
1E+16 1 per kubieke centimeter --> 1E+22 1 per kubieke meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Junction Ingebouwde spanning:
0.76 Volt --> 0.76 Volt Geen conversie vereist
Afvoer naar bronpotentieel:
1.45 Volt --> 1.45 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
x
dD
= sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N
A
))*(Ø
0
+V
ds
)) -->
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*1E+22))*(0.76+1.45))
Evalueren ... ...
x
dD
= 5.34466520692296E-07
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
5.34466520692296E-07 Meter -->0.534466520692296 Micrometer
(Bekijk de conversie
hier
)
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.534466520692296
≈
0.534467 Micrometer
<--
Pn-verbindingsdepletiediepte met afvoer
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
VLSI-fabricage
»
VLSI-materiaaloptimalisatie
»
PN-verbindingsdepletiediepte met afvoer VLSI
Credits
Gemaakt door
Prijanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek
(LDCE)
,
Ahmedabad
Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines
Lichaamseffectcoëfficiënt
LaTeX
Gaan
Lichaamseffectcoëfficiënt
=
modulus
((
Drempelspanning
-
Drempelspanning DIBL
)/(
sqrt
(
Oppervlaktepotentieel
+(
Bron Lichaamspotentieelverschil
))-
sqrt
(
Oppervlaktepotentieel
)))
DIBL-coëfficiënt
LaTeX
Gaan
DIBL-coëfficiënt
= (
Drempelspanning DIBL
-
Drempelspanning
)/
Afvoer naar bronpotentieel
Kanaallading
LaTeX
Gaan
Kanaalkosten
=
Poortcapaciteit
*(
Poort naar kanaalspanning
-
Drempelspanning
)
Kritieke spanning
LaTeX
Gaan
Kritische spanning
=
Kritisch elektrisch veld
*
Elektrisch veld over de kanaallengte
Bekijk meer >>
PN-verbindingsdepletiediepte met afvoer VLSI Formule
LaTeX
Gaan
Pn-verbindingsdepletiediepte met afvoer
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
Acceptorconcentratie
))*(
Junction Ingebouwde spanning
+
Afvoer naar bronpotentieel
))
x
dD
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))*(
Ø
0
+
V
ds
))
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!