KGV van twee getallen

PN-verbindingsdepletiediepte met afvoer VLSI Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie Analoog VLSI-ontwerp

✖Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.ⓘ Acceptorconcentratie [N_A]			+10% -10%
✖De ingebouwde junctiespanning wordt gedefinieerd als de spanning die bestaat over een halfgeleiderjunctie in thermisch evenwicht, waarbij geen externe spanning wordt toegepast.ⓘ Junction Ingebouwde spanning [Ø₀]			+10% -10%
✖Afvoer naar bron Potentieel is het potentieel tussen afvoer en bron.ⓘ Afvoer naar bronpotentieel [V_ds]			+10% -10%

✖Pn-verbindingsdepletiediepte met drain wordt gedefinieerd als de uitbreiding van het depletiegebied in het halfgeleidermateriaal nabij de drainterminal.ⓘ PN-verbindingsdepletiediepte met afvoer VLSI [x_dD]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

PN-verbindingsdepletiediepte met afvoer VLSI

Formule

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

Voorbeeld

0.534467 μm = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot 1e+16 /cm³}) \cdot (0.76 V + 1.45 V)}

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

PN-verbindingsdepletiediepte met afvoer VLSI Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Pn-verbindingsdepletiediepte met afvoer = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))*(Junction Ingebouwde spanning+Afvoer naar bronpotentieel))
x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds))
Deze formule gebruikt 3 Constanten, 1 Functies, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittiviteit van vacuüm Waarde genomen als 8.85E-12
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Pn-verbindingsdepletiediepte met afvoer - (Gemeten in Meter) - Pn-verbindingsdepletiediepte met drain wordt gedefinieerd als de uitbreiding van het depletiegebied in het halfgeleidermateriaal nabij de drainterminal.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Junction Ingebouwde spanning - (Gemeten in Volt) - De ingebouwde junctiespanning wordt gedefinieerd als de spanning die bestaat over een halfgeleiderjunctie in thermisch evenwicht, waarbij geen externe spanning wordt toegepast.
Afvoer naar bronpotentieel - (Gemeten in Volt) - Afvoer naar bron Potentieel is het potentieel tussen afvoer en bron.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Acceptorconcentratie: 1E+16 1 per kubieke centimeter --> 1E+22 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Junction Ingebouwde spanning: 0.76 Volt --> 0.76 Volt Geen conversie vereist
Afvoer naar bronpotentieel: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds)) --> sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45))

Evalueren ... ...

x_dD = 5.34466520692296E-07

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.34466520692296E-07 Meter -->0.534466520692296 Micrometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.534466520692296 ≈ 0.534467 Micrometer <-- Pn-verbindingsdepletiediepte met afvoer

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » PN-verbindingsdepletiediepte met afvoer VLSI

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Bekijk meer >>