KGV rekenmachine

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie Analoog VLSI-ontwerp

✖De ingebouwde junctiespanning wordt gedefinieerd als de spanning die bestaat over een halfgeleiderjunctie in thermisch evenwicht, waarbij geen externe spanning wordt toegepast.ⓘ Junction Ingebouwde spanning [Ø₀]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.ⓘ Acceptorconcentratie [N_A]			+10% -10%

✖Pn-junctie-uitputtingsdiepte met bron wordt gedefinieerd als het gebied rond een pn-junctie waar ladingsdragers zijn uitgeput als gevolg van de vorming van een elektrisch veld.ⓘ PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI [x_dS]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Formule

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

Voorbeeld

0.313423 μm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 0.76 V}{[Charge-e] \cdot 1e+16 /cm³}}

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))
x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Ø₀)/([Charge-e]*N_A))
Deze formule gebruikt 3 Constanten, 1 Functies, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittiviteit van vacuüm Waarde genomen als 8.85E-12
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Pn-verbindingsdepletiediepte met bron - (Gemeten in Meter) - Pn-junctie-uitputtingsdiepte met bron wordt gedefinieerd als het gebied rond een pn-junctie waar ladingsdragers zijn uitgeput als gevolg van de vorming van een elektrisch veld.
Junction Ingebouwde spanning - (Gemeten in Volt) - De ingebouwde junctiespanning wordt gedefinieerd als de spanning die bestaat over een halfgeleiderjunctie in thermisch evenwicht, waarbij geen externe spanning wordt toegepast.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Junction Ingebouwde spanning: 0.76 Volt --> 0.76 Volt Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie: 1E+16 1 per kubieke centimeter --> 1E+22 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Ø₀)/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*0.76)/([Charge-e]*1E+22))

Evalueren ... ...

x_dS = 3.13423217933622E-07

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.13423217933622E-07 Meter -->0.313423217933622 Micrometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.313423217933622 ≈ 0.313423 Micrometer <-- Pn-verbindingsdepletiediepte met bron

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Bekijk meer >>