Permittiviteit van oxidelaag Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)
εox = tox*Cin/(Wg*Lg)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen
Variabelen gebruikt
Permittiviteit van de oxidelaag - (Gemeten in Farad per meter) - Permittiviteit van de oxidelaag wordt gedefinieerd als het vermogen van een stof om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld.
Dikte van de oxidelaag - (Gemeten in Meter) - De dikte van de oxidelaag tox wordt bepaald tijdens de procestechnologie die wordt gebruikt om de MOSFET te vervaardigen.
Ingangspoortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Ingangspoortcapaciteit in CMOS verwijst naar de capaciteit tussen de ingangsklemmen van een CMOS-circuit en het referentiepotentiaal (meestal aarde).
Poortbreedte - (Gemeten in Meter) - Poortbreedte verwijst naar de afstand tussen de rand van een metalen poortelektrode en het aangrenzende halfgeleidermateriaal in een CMOS.
Lengte van de poort - (Gemeten in Meter) - Lengte van de poort is de maat of omvang van iets van begin tot eind.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Dikte van de oxidelaag: 4.98 Millimeter --> 0.00498 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Ingangspoortcapaciteit: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Bekijk de conversie ​hier)
Poortbreedte: 0.285 Millimeter --> 0.000285 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Lengte van de poort: 7 Millimeter --> 0.007 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
εox = tox*Cin/(Wg*Lg) --> 0.00498*6.001E-05/(0.000285*0.007)
Evalueren ... ...
εox = 0.149799398496241
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.149799398496241 Farad per meter -->149.799398496241 Microfarad per millimeter (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
149.799398496241 149.7994 Microfarad per millimeter <-- Permittiviteit van de oxidelaag
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

CMOS kritische spanning
​ LaTeX ​ Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad
CMOS betekent vrij pad
​ LaTeX ​ Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld
Breedte van bronverspreiding
​ LaTeX ​ Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron
Gebied van bronverspreiding
​ LaTeX ​ Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Permittiviteit van oxidelaag Formule

​LaTeX ​Gaan
Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)
εox = tox*Cin/(Wg*Lg)

Wat zijn de werkgebieden in MOS-transistors?

MOS-transistors hebben drie werkgebieden, waaronder een afsnij- of subdrempelgebied, een lineair gebied en een verzadigingsgebied.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!