Oxidecapaciteit van NMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Oxide capaciteit = (3.45*10^(-11))/Oxide Dikte
Cox = (3.45*10^(-11))/tox
Deze formule gebruikt 2 Variabelen
Variabelen gebruikt
Oxide capaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Oxide Dikte - (Gemeten in Meter) - Oxidedikte verwijst naar de dikte van een dunne laag oxidemateriaal die is gevormd op het oppervlak van een substraat, meestal een halfgeleidermateriaal zoals silicium.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Oxide Dikte: 17 Micrometer --> 1.7E-05 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Cox = (3.45*10^(-11))/tox --> (3.45*10^(-11))/1.7E-05
Evalueren ... ...
Cox = 2.02941176470588E-06
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
2.02941176470588E-06 Farad -->2.02941176470588 Microfarad (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
2.02941176470588 2.029412 Microfarad <-- Oxide capaciteit
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

N-kanaalverbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)
Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)
NMOS als lineaire weerstand
​ LaTeX ​ Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))
Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor
​ LaTeX ​ Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal

Oxidecapaciteit van NMOS Formule

​LaTeX ​Gaan
Oxide capaciteit = (3.45*10^(-11))/Oxide Dikte
Cox = (3.45*10^(-11))/tox

Wat is oxidecapaciteit?

Het is de verhouding van de diëlektrische constante van het siliciumdioxide die 3,45 x 10 is

Verklaar het hele proces van het kanaalgebied van de MOSFET dat een condensator met parallelle platen vormt.

De poort en het kanaalgebied van de MOSFET vormen een condensator met parallelle platen, waarbij de oxidelaag fungeert als het diëlektricum van de condensator. De positieve poortspanning zorgt ervoor dat een positieve lading zich ophoopt op de bovenplaat van de condensator (de poortelektrode). De overeenkomstige negatieve lading op de bodemplaat wordt gevormd door de elektronen in het geïnduceerde kanaal. Er ontstaat dus een elektrisch veld in verticale richting. Het is dit veld dat de hoeveelheid lading in het kanaal regelt, en dus bepaalt het de kanaalgeleiding en, op zijn beurt, de stroom die door het kanaal zal stromen wanneer een spanning wordt aangelegd.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!