✖De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter in PMOS [k'p] | | | +10% -10% |
✖Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bronⓘ Beeldverhouding [WL] | | | +10% -10% |
✖De spanning tussen poort en bron van een veldeffecttransistor (FET) staat bekend als de poort-bronspanning (VGS). Het is een belangrijke parameter die de werking van de FET beïnvloedt.ⓘ Spanning tussen poort en bron [VGS] | | | +10% -10% |
✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [VT] | | | +10% -10% |
✖De spanning tussen drain en source is een sleutelparameter in de werking van een veldeffecttransistor (FET) en wordt vaak de "drain-source voltage" of VDS genoemd.ⓘ Spanning tussen afvoer en bron [VDS] | | | +10% -10% |
✖Vroege spanning is volledig afhankelijk van de procestechnologie, met afmetingen in volt per micron.ⓘ Vroege spanning [Va] | | | +10% -10% |