Open circuit bipolaire cascode-spanningsversterking Rekenmachine

Bipolaire cascode-spanningsversterking = -MOSFET primaire transconductantie*(MOSFET secundaire transconductantie*Eindige uitgangsweerstand)*(1/Eindige uitgangsweerstand van transistor 1+1/Kleine signaalingangsweerstand)^-1
A_fo = -g_mp*(g_ms*R_out)*(1/R_out1+1/R_sm)^-1
Deze formule gebruikt 6 Variabelen
Bipolaire cascode-spanningsversterking - Bipolaire cascode-spanningsversterking verwijst naar een type versterkerconfiguratie die twee transistors in een cascode-configuratie gebruikt om een hogere spanningsversterking te bereiken dan een enkele transistorversterker.
MOSFET primaire transconductantie - (Gemeten in Siemens) - MOSFET Primaire Transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.
MOSFET secundaire transconductantie - (Gemeten in Siemens) - MOSFET secundaire transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.
Eindige uitgangsweerstand - (Gemeten in Ohm) - De eindige uitgangsweerstand is een maatstaf voor hoeveel de uitgangsimpedantie van de transistor varieert met veranderingen in de uitgangsspanning.
Eindige uitgangsweerstand van transistor 1 - (Gemeten in Ohm) - De eindige uitgangsweerstand van transistor 1 is een maat voor hoeveel de uitgangsimpedantie van de transistor varieert met veranderingen in de uitgangsspanning.
Kleine signaalingangsweerstand - (Gemeten in Ohm) - Kleine signaalingangsweerstand 2 tussen basis en emitter modelleert hoe de ingangsimpedantie tussen de basis- en emitteraansluitingen van de transistor verandert wanneer een klein AC-signaal wordt toegepast.

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)