Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen
Variabelen gebruikt
Ohmse geleidbaarheid - (Gemeten in Siemens/Meter) - Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Elektronendoping Siliciummobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.
Elektronenconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De elektronenconcentratie wordt beïnvloed door verschillende factoren, zoals temperatuur, onzuiverheden of doteermiddelen die aan het halfgeleidermateriaal worden toegevoegd, en externe elektrische of magnetische velden.
Hole Doping Siliciummobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Gatendoping Siliciummobiliteit is het vermogen van een gat om zich door een metaal of halfgeleider te verplaatsen in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.
Gatenconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie impliceert een groter aantal beschikbare ladingsdragers in het materiaal, wat de geleidbaarheid en verschillende halfgeleiderapparaten beïnvloedt.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie ​hier)
Elektronendoping Siliciummobiliteit: 0.38 Vierkante centimeter per volt seconde --> 3.8E-05 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie ​hier)
Elektronenconcentratie: 50.6 1 per kubieke centimeter --> 50600000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie ​hier)
Hole Doping Siliciummobiliteit: 2.4 Vierkante centimeter per volt seconde --> 0.00024 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie ​hier)
Gatenconcentratie: 0.69 1 per kubieke centimeter --> 690000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
σ = q*(μn*nep*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)
Evalueren ... ...
σ = 10.442
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
10.442 Siemens/Meter -->0.10442 Mho/Centimeter (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.10442 Mho/Centimeter <-- Ohmse geleidbaarheid
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Rahul Gupta
Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))
Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
Onzuiverheid met intrinsieke concentratie
​ LaTeX ​ Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
Doorbraakspanning van collector-emitter
​ LaTeX ​ Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid Formule

​LaTeX ​Gaan
Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!