Offsetspanning van MOSFET met Current-Mirror Load Rekenmachine

✖De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%
✖De geforceerde stroomversterking van de gemeenschappelijke emitter is de verhouding tussen de collectorstroom en de basisstroom in de verzadigingsmodus.ⓘ Geforceerde gemeenschappelijke emitterstroomversterking [β_forced]			+10% -10%

✖Ingangsoffsetspanning is de spanning die moet worden aangelegd tussen de twee ingangsklemmen van de op-amp om nul volt aan de uitgang te verkrijgen.ⓘ Offsetspanning van MOSFET met Current-Mirror Load [V_os]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET-versterkers Formules Pdf PDF Image

Offsetspanning van MOSFET met Current-Mirror Load Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Ingangsoffsetspanning = -(2*Drempelspanning)/Geforceerde gemeenschappelijke emitterstroomversterking
V_os = -(2*V_t)/β_forced
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Ingangsoffsetspanning - (Gemeten in Volt) - Ingangsoffsetspanning is de spanning die moet worden aangelegd tussen de twee ingangsklemmen van de op-amp om nul volt aan de uitgang te verkrijgen.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.
Geforceerde gemeenschappelijke emitterstroomversterking - De geforceerde stroomversterking van de gemeenschappelijke emitter is de verhouding tussen de collectorstroom en de basisstroom in de verzadigingsmodus.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Drempelspanning: 19.5 Volt --> 19.5 Volt Geen conversie vereist
Geforceerde gemeenschappelijke emitterstroomversterking: 11 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_os = -(2*V_t)/β_forced --> -(2*19.5)/11

Evalueren ... ...

V_os = -3.54545454545455

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

-3.54545454545455 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

-3.54545454545455 ≈ -3.545455 Volt <-- Ingangsoffsetspanning

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » MOSFET-versterkers » DC-offset » Offsetspanning van MOSFET met Current-Mirror Load

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Anshika Arya

Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

< DC-offset Rekenmachines

Stroom bij werking met differentiële ingangsspanning

LaTeX Gaan Totale stroom = 1/2*(Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding)*(Spanning over diode-Drempelspanning)^2

Offsetspanning van MOSFET met Current-Mirror Load

LaTeX Gaan Ingangsoffsetspanning = -(2*Drempelspanning)/Geforceerde gemeenschappelijke emitterstroomversterking

Uitgangsspanning van spanningsversterker:

LaTeX Gaan Uitgangsspanning = Bronspanning-(Afvoerstroom*Belastingsweerstand)

Maximale differentiële ingangsspanning van MOSFET gegeven overdrive-spanning

LaTeX Gaan Differentieel ingangssignaal = sqrt(2)*Effectieve spanning

Bekijk meer >>

Offsetspanning van MOSFET met Current-Mirror Load Formule

LaTeX Gaan

Ingangsoffsetspanning = -(2*Drempelspanning)/Geforceerde gemeenschappelijke emitterstroomversterking
V_os = -(2*V_t)/β_forced

Wat veroorzaakt offsetspanning?

De oorzaak van de ingangsverschuivingsspanning is algemeen bekend - het is te wijten aan de inherente mismatch van de ingangstransistors en componenten tijdens de fabricage van de siliciummatrijs, en de spanningen die op de matrijs worden uitgeoefend tijdens het verpakkingsproces (kleine bijdrage).

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!