NMOS als lineaire weerstand Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT))
Deze formule gebruikt 7 Variabelen
Variabelen gebruikt
Lineaire weerstand - (Gemeten in Ohm) - Lineaire weerstand werkt als een variabele weerstand in het lineaire gebied en als een stroombron in het verzadigingsgebied.
Lengte van het kanaal - (Gemeten in Meter) - De lengte van het kanaal kan worden gedefinieerd als de afstand tussen het begin- en eindpunt en kan sterk variëren, afhankelijk van het doel en de locatie.
Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om te bewegen of te geleiden binnen de oppervlaktelaag van een materiaal wanneer ze worden blootgesteld aan een elektrisch veld.
Oxide capaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Breedte van kanaal - (Gemeten in Meter) - De breedte van het kanaal verwijst naar de hoeveelheid bandbreedte die beschikbaar is voor het verzenden van gegevens binnen een communicatiekanaal.
Poortbronspanning - (Gemeten in Volt) - De Gate Source-spanning is de spanning die over de gate-source-aansluiting van de transistor valt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Lengte van het kanaal: 3 Micrometer --> 3E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal: 2.2 Vierkante meter per volt per seconde --> 2.2 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Oxide capaciteit: 2.02 Microfarad --> 2.02E-06 Farad (Bekijk de conversie ​hier)
Breedte van kanaal: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Poortbronspanning: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT)) --> 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82))
Evalueren ... ...
rDS = 7960.70173055041
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
7960.70173055041 Ohm -->7.96070173055041 Kilohm (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
7.96070173055041 7.960702 Kilohm <-- Lineaire weerstand
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

N-kanaalverbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)
Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)
NMOS als lineaire weerstand
​ LaTeX ​ Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))
Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor
​ LaTeX ​ Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal

NMOS als lineaire weerstand Formule

​LaTeX ​Gaan
Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT))

Wat is de voorwaarde om de MOSFET als lineaire weerstand te gebruiken?

Wanneer je de poortspanning langzaam verhoogt, begint de MOSFET langzaam te geleiden door het lineaire gebied binnen te gaan waar het een spanning erover begint te ontwikkelen die we V noemen

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!