KGV van twee getallen

Diepte van focus Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

MOS IC-fabricage Bipolaire IC-fabricage Schmitt trigger

✖Proportionaliteitsfactor is een constante die twee sleutelparameters met elkaar in verband brengt: de kritische dimensie (CD) en de blootstellingsdosis.ⓘ Evenredigheidsfactor [k₂]			+10% -10%
✖Golflengte in fotolithografie verwijst naar het specifieke bereik van elektromagnetische straling dat wordt gebruikt om halfgeleiderwafels te patrooneren tijdens het fabricageproces van halfgeleiders.ⓘ Golflengte in fotolithografie [λ_l]			+10% -10%
✖Numerieke opening van een optisch systeem is een parameter die in de optica wordt gebruikt om het vermogen van een optisch systeem te beschrijven. In de context van halfgeleiderproductie en fotolithografie.ⓘ Numeriek diafragma [NA]			+10% -10%

✖Depth of Focus is een kritische parameter die de tolerantie voor variaties in de hoogte van de halfgeleiderwafel beïnvloedt.ⓘ Diepte van focus [DOF]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Diepte van focus Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Diepte van focus - (Gemeten in Meter) - Depth of Focus is een kritische parameter die de tolerantie voor variaties in de hoogte van de halfgeleiderwafel beïnvloedt.
Evenredigheidsfactor - Proportionaliteitsfactor is een constante die twee sleutelparameters met elkaar in verband brengt: de kritische dimensie (CD) en de blootstellingsdosis.
Golflengte in fotolithografie - (Gemeten in Meter) - Golflengte in fotolithografie verwijst naar het specifieke bereik van elektromagnetische straling dat wordt gebruikt om halfgeleiderwafels te patrooneren tijdens het fabricageproces van halfgeleiders.
Numeriek diafragma - Numerieke opening van een optisch systeem is een parameter die in de optica wordt gebruikt om het vermogen van een optisch systeem te beschrijven. In de context van halfgeleiderproductie en fotolithografie.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Evenredigheidsfactor: 3 --> Geen conversie vereist
Golflengte in fotolithografie: 223 Nanometer --> 2.23E-07 Meter (Bekijk de conversie hier)
Numeriek diafragma: 0.717 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

DOF = k₂*λ_l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)

Evalueren ... ...

DOF = 1.30133109247621E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.30133109247621E-06 Meter -->1.30133109247621 Micrometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.30133109247621 ≈ 1.301331 Micrometer <-- Diepte van focus

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Diepte van focus

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET

LaTeX Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

LaTeX Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Kanaal weerstand

LaTeX Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

LaTeX Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Bekijk meer >>