GGD van drie getallen

Netto verdeling van kosten Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Solid State-apparaten Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

SSD-knooppunt Elektronen en gaten Energieband en ladingdrager Halfgeleider dragers

✖Donorconcentratie verwijst naar de concentratie of dichtheid van donoratomen in een halfgeleidermateriaal.ⓘ Donor concentratie [N_d]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie is de concentratie van een acceptor of doteringsatoom dat, wanneer het wordt gesubstitueerd in een halfgeleiderrooster, een p-type gebied vormt.ⓘ Acceptor concentratie [N_a]			+10% -10%
✖Graded Constant geeft de helling van de netto onzuiverheidsverdeling. Het is de snelheid tussen verschillende dopingconcentraties in een gradueel gebied nabij een kruispunt.ⓘ Gegradeerde constante [G]			+10% -10%

✖Nettoverdeling is een ruimtelijke of numerieke weergave van de nettohoeveelheid of concentratie van een specifieke entiteit of eigenschap.ⓘ Netto verdeling van kosten [x]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden SSD-knooppunt Formules Pdf PDF Image

Netto verdeling van kosten Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Netto distributie = (Donor concentratie-Acceptor concentratie)/Gegradeerde constante
x = (N_d-N_a)/G
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Netto distributie - Nettoverdeling is een ruimtelijke of numerieke weergave van de nettohoeveelheid of concentratie van een specifieke entiteit of eigenschap.
Donor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie verwijst naar de concentratie of dichtheid van donoratomen in een halfgeleidermateriaal.
Acceptor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie is de concentratie van een acceptor of doteringsatoom dat, wanneer het wordt gesubstitueerd in een halfgeleiderrooster, een p-type gebied vormt.
Gegradeerde constante - Graded Constant geeft de helling van de netto onzuiverheidsverdeling. Het is de snelheid tussen verschillende dopingconcentraties in een gradueel gebied nabij een kruispunt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Donor concentratie: 2.5E+35 1 per kubieke meter --> 2.5E+35 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Acceptor concentratie: 7.9E+35 1 per kubieke meter --> 7.9E+35 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Gegradeerde constante: 7.2E+36 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

x = (N_d-N_a)/G --> (2.5E+35-7.9E+35)/7.2E+36

Evalueren ... ...

x = -0.075

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

-0.075 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

-0.075 <-- Netto distributie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » SSD-knooppunt » Netto verdeling van kosten

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< SSD-knooppunt Rekenmachines

Verbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Verbindingscapaciteit = (Verbindingsgebied/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Constante lengteverschuiving*Dopingconcentratie van base)/(Bronspanning-Bronspanning 1))

Serieweerstand in P-type

LaTeX Gaan Serieweerstand in P-kruising = ((Bronspanning-Verbindingsspanning)/Elektrische stroom)-Serieweerstand in N-kruising

Junctiespanning

LaTeX Gaan Verbindingsspanning = Bronspanning-(Serieweerstand in P-kruising+Serieweerstand in N-kruising)*Elektrische stroom

Breedte van het type N

LaTeX Gaan Ladingspenetratie N-type = Totale acceptatiekosten/(Verbindingsgebied*Acceptor concentratie*[Charge-e])

Bekijk meer >>

Netto verdeling van kosten Formule

LaTeX Gaan

Netto distributie = (Donor concentratie-Acceptor concentratie)/Gegradeerde constante
x = (N_d-N_a)/G

Hoe ontstaat een halfgeleiderovergang?

Pn-overgangen worden gevormd door het samenvoegen van n-type en p-type halfgeleidermaterialen, zoals hieronder weergegeven. Aangezien het n-type gebied een hoge elektronenconcentratie heeft en het p-type een hoge gatenconcentratie, diffunderen elektronen van de n-type zijde naar de p-type zijde.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!