Formule gebruikt
Smal kanaal extra drempelspanning = ((Empirische parameter*Verticale omvang van bulkdepletie in substraat)/(Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid))*(sqrt(2*[Charge-e]*Acceptorconcentratie*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Oppervlaktepotentieel)))ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs)))Deze formule gebruikt
3 Constanten,
2 Functies,
7 Variabelen Gebruikte constanten
[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittiviteit van vacuüm Waarde genomen als 8.85E-12
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Functies die worden gebruikt
sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
abs - De absolute waarde van een getal is de afstand tot nul op de getallenlijn. Het is altijd een positieve waarde, omdat het de grootte van een getal vertegenwoordigt zonder rekening te houden met de richting., abs(Number)
Variabelen gebruikt
Smal kanaal extra drempelspanning -
(Gemeten in Volt) - Narrow Channel Extra Threshold Voltage wordt gedefinieerd als een extra bijdrage aan de drempelspanning als gevolg van smalkanaaleffecten in MOSFET.
Empirische parameter - Empirische parameter is een constante of waarde die wordt gebruikt in een model, vergelijking of theorie die is afgeleid van experimenten en observatie in plaats van theoretisch te zijn afgeleid.
Verticale omvang van bulkdepletie in substraat -
(Gemeten in Meter) - Verticale omvang Bulkdepletie in substraat verwijst naar de diepte van het depletiegebied in het substraat (bulk) van de MOSFET.
Kanaalbreedte -
(Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte wordt gedefinieerd als de fysieke breedte van het halfgeleiderkanaal tussen de source- en drainterminals binnen de transistorstructuur.
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid -
(Gemeten in Farad per vierkante meter) - Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid wordt gedefinieerd als de capaciteit per oppervlakte-eenheid van de isolerende oxidelaag die de metalen poort scheidt van het halfgeleidermateriaal.
Acceptorconcentratie -
(Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Oppervlaktepotentieel -
(Gemeten in Volt) - Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.