Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Percentage van nummer
Simpele fractie
KGV rekenmachine
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Meer >>
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Meer >>
⤿
Geïntegreerde schakelingen (IC)
Analoge communicatie
Analoge elektronica
Antenne- en golfvoortplanting
Meer >>
⤿
MOS IC-fabricage
Bipolaire IC-fabricage
Schmitt trigger
✖
Transconductantie in MOSFET is een belangrijke parameter die de relatie tussen de ingangsspanning en de uitgangsstroom beschrijft.
ⓘ
Transconductantie in MOSFET [g
m
]
Megasiemens
Mho
Micromho
Millisiemens
Siemens
+10%
-10%
✖
Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET).
ⓘ
Gate-broncapaciteit [C
gs
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Microfarad
Millifarad
Nanofarad
Picofarad
+10%
-10%
✖
Gate Drain Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en drain-aansluitingen van het apparaat.
ⓘ
Poortafvoercapaciteit [C
gd
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Microfarad
Millifarad
Nanofarad
Picofarad
+10%
-10%
✖
Unity Gain Frequency in MOSFET verwijst naar de frequentie waarbij de spanningsversterking van het apparaat daalt tot 1 (0dB) in een common-source-configuratie met een resistieve belasting.
ⓘ
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie [f
t
]
Beats / Minute
Cyclus/Seconde
Frames per seconde
Gigahertz
Hectohertz
Hertz
Kilohertz
Megahertz
petahertz
Picohertz
Revolutie per uur
Revolutie per minuut
Revolutie per seconde
Terahertz
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
Formule
f
t
=
g
m
C
gs
+
C
gd
Voorbeeld
37.41497 kHz
=
2.2 S
56 μF
+
2.8 μF
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET
=
Transconductantie in MOSFET
/(
Gate-broncapaciteit
+
Poortafvoercapaciteit
)
f
t
=
g
m
/(
C
gs
+
C
gd
)
Deze formule gebruikt
4
Variabelen
Variabelen gebruikt
Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET
-
(Gemeten in Hertz)
- Unity Gain Frequency in MOSFET verwijst naar de frequentie waarbij de spanningsversterking van het apparaat daalt tot 1 (0dB) in een common-source-configuratie met een resistieve belasting.
Transconductantie in MOSFET
-
(Gemeten in Siemens)
- Transconductantie in MOSFET is een belangrijke parameter die de relatie tussen de ingangsspanning en de uitgangsstroom beschrijft.
Gate-broncapaciteit
-
(Gemeten in Farad)
- Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET).
Poortafvoercapaciteit
-
(Gemeten in Farad)
- Gate Drain Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en drain-aansluitingen van het apparaat.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Transconductantie in MOSFET:
2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Geen conversie vereist
Gate-broncapaciteit:
56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad
(Bekijk de conversie
hier
)
Poortafvoercapaciteit:
2.8 Microfarad --> 2.8E-06 Farad
(Bekijk de conversie
hier
)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
f
t
= g
m
/(C
gs
+C
gd
) -->
2.2/(5.6E-05+2.8E-06)
Evalueren ... ...
f
t
= 37414.9659863946
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Kilohertz
(Bekijk de conversie
hier
)
DEFINITIEVE ANTWOORD
37.4149659863946
≈
37.41497 Kilohertz
<--
Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
Geïntegreerde schakelingen (IC)
»
MOS IC-fabricage
»
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
Credits
Gemaakt door
banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
MOS IC-fabricage Rekenmachines
Lichaamseffect in MOSFET
Gaan
Drempelspanning met substraat
=
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking
+
Lichaamseffectparameter
*(
sqrt
(2*
Bulk Fermi-potentieel
+
Spanning toegepast op lichaam
)-
sqrt
(2*
Bulk Fermi-potentieel
))
Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied
Gaan
Afvoerstroom
=
Transconductantieparameter
/2*(
Poortbronspanning
-
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking
)^2*(1+
Modulatiefactor kanaallengte
*
Afvoerbronspanning
)
Kanaal weerstand
Gaan
Kanaal weerstand
=
Lengte van de transistor
/
Transistorbreedte
*1/(
Elektronenmobiliteit
*
Dragerdichtheid
)
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
Gaan
Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET
=
Transconductantie in MOSFET
/(
Gate-broncapaciteit
+
Poortafvoercapaciteit
)
Bekijk meer >>
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie Formule
Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET
=
Transconductantie in MOSFET
/(
Gate-broncapaciteit
+
Poortafvoercapaciteit
)
f
t
=
g
m
/(
C
gs
+
C
gd
)
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!