MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Transconductantie in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*(Transistorbreedte/Lengte van de transistor)*Afvoerstroom)
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 6 Variabelen
Functies die worden gebruikt
sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
Variabelen gebruikt
Transconductantie in MOSFET - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie in MOSFET is een belangrijke parameter die de relatie tussen de ingangsspanning en de uitgangsstroom beschrijft.
Elektronenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronenmobiliteit beschrijft hoe snel elektronen door het materiaal kunnen bewegen als reactie op een elektrisch veld.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.
Transistorbreedte - (Gemeten in Meter) - Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Lengte van de transistor - (Gemeten in Meter) - Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom verwijst naar de stroom die vloeit tussen de afvoer- en bronaansluitingen van de transistor wanneer deze in bedrijf is.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Elektronenmobiliteit: 30 Vierkante meter per volt per seconde --> 30 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Oxidecapaciteit: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Geen conversie vereist
Transistorbreedte: 5.5 Micrometer --> 5.5E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Lengte van de transistor: 3.2 Micrometer --> 3.2E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Afvoerstroom: 0.013 Ampère --> 0.013 Ampère Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id) --> sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013)
Evalueren ... ...
gm = 2.28657768291392
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
2.28657768291392 Siemens --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
2.28657768291392 2.286578 Siemens <-- Transconductantie in MOSFET
(Berekening voltooid in 00.005 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

MOSFET-karakteristieken Rekenmachines

Spanningsversterking gegeven Belastingsweerstand van MOSFET
​ LaTeX ​ Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*(1/(1/Belastingsweerstand+1/Uitgangsweerstand))/(1+Transconductantie*Bron weerstand)
Maximale spanningsversterking op biaspunt
​ LaTeX ​ Gaan Maximale spanningsversterking = 2*(Voedingsspanning-Effectieve spanning)/(Effectieve spanning)
Spanningsversterking gegeven afvoerspanning
​ LaTeX ​ Gaan Spanningsversterking = (Afvoerstroom*Belastingsweerstand*2)/Effectieve spanning
Maximale spanningsversterking bij alle spanningen
​ LaTeX ​ Gaan Maximale spanningsversterking = (Voedingsspanning-0.3)/Thermische spanning

MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit Formule

​LaTeX ​Gaan
Transconductantie in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*(Transistorbreedte/Lengte van de transistor)*Afvoerstroom)
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!