MOSFET-transconductantie Rekenmachine

✖Verandering in afvoerstroom geeft de verandering in stroomgeleidingsvermogen van de siliciumchip aan; het kan als leidraad worden gebruikt bij het vergelijken van verschillende apparaten.ⓘ Verandering in afvoerstroom [ΔI_d]			+10% -10%
✖Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.ⓘ Gate-bronspanning [V_gs]			+10% -10%

✖Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.ⓘ MOSFET-transconductantie [g_m]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

MOSFET-transconductantie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transconductantie = Verandering in afvoerstroom/Gate-bronspanning
g_m = ΔI_d/V_gs
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.
Verandering in afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verandering in afvoerstroom geeft de verandering in stroomgeleidingsvermogen van de siliciumchip aan; het kan als leidraad worden gebruikt bij het vergelijken van verschillende apparaten.
Gate-bronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Verandering in afvoerstroom: 2 milliampère --> 0.002 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Gate-bronspanning: 4 Volt --> 4 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

g_m = ΔI_d/V_gs --> 0.002/4

Evalueren ... ...

g_m = 0.0005

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.5 Millisiemens <-- Transconductantie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Transconductantie » MOSFET-transconductantie

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Prahalad Singh

Jaipur Engineering College en Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 10+ rekenmachines!

< Transconductantie Rekenmachines

Transconductantie gegeven procestransconductantieparameter

LaTeX Gaan Transconductantie = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Transconductantie gegeven afvoerstroom

LaTeX Gaan Transconductantie = sqrt(2*Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*Afvoerstroom)

Transconductantie met behulp van Process Transconductance Parameter en Overdrive Voltage

LaTeX Gaan Transconductantie = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*Overdrive-spanning

Stroom afvoeren met behulp van transconductantie

LaTeX Gaan Afvoerstroom = (Overdrive-spanning)*Transconductantie/2

Bekijk meer >>

MOSFET-transconductantie Formule

LaTeX Gaan

Transconductantie = Verandering in afvoerstroom/Gate-bronspanning
g_m = ΔI_d/V_gs

Wat is het gebruik van transconductantie in MOSFET?

Transconductantie is een uitdrukking van de prestaties van een bipolaire transistor of veldeffecttransistor (FET). In het algemeen geldt dat hoe groter het transconductantiecijfer voor een apparaat is, hoe groter de versterking (versterking) die het kan leveren, wanneer alle andere factoren constant worden gehouden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!