MOSFET als lineaire weerstand gegeven beeldverhouding Rekenmachine

✖Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).ⓘ Kanaallengte [L]			+10% -10%
✖De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van een kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om door het oppervlak van een halfgeleidermateriaal te bewegen of te reizen, zoals een siliciumkanaal in een transistor.ⓘ Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal [μ_s]			+10% -10%
✖Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.ⓘ Oxidecapaciteit [C_ox]			+10% -10%
✖Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).ⓘ Kanaalbreedte [W_c]			+10% -10%
✖De effectieve spanning in een MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is de spanning die het gedrag van het apparaat bepaalt. Het is ook bekend als de poortbronspanning.ⓘ Effectieve spanning [V_eff]			+10% -10%

✖Lineaire weerstand, de hoeveelheid tegenstand of weerstand is recht evenredig met de hoeveelheid stroom die er doorheen vloeit, zoals beschreven door de wet van Ohm.ⓘ MOSFET als lineaire weerstand gegeven beeldverhouding [R_ds]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

MOSFET als lineaire weerstand gegeven beeldverhouding Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Lineaire weerstand = Kanaallengte/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Effectieve spanning)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen

Variabelen gebruikt

Lineaire weerstand - (Gemeten in Ohm) - Lineaire weerstand, de hoeveelheid tegenstand of weerstand is recht evenredig met de hoeveelheid stroom die er doorheen vloeit, zoals beschreven door de wet van Ohm.
Kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).
Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van een kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om door het oppervlak van een halfgeleidermateriaal te bewegen of te reizen, zoals een siliciumkanaal in een transistor.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).
Effectieve spanning - (Gemeten in Volt) - De effectieve spanning in een MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is de spanning die het gedrag van het apparaat bepaalt. Het is ook bekend als de poortbronspanning.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Kanaallengte: 100 Micrometer --> 0.0001 Meter (Bekijk de conversie hier)
Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal: 38 Vierkante meter per volt per seconde --> 38 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Oxidecapaciteit: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Bekijk de conversie hier)
Kanaalbreedte: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Effectieve spanning: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff) --> 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7)

Evalueren ... ...

R_ds = 164.679533627561

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

164.679533627561 Ohm -->0.164679533627561 Kilohm (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.164679533627561 ≈ 0.16468 Kilohm <-- Lineaire weerstand

(Berekening voltooid in 00.011 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Weerstand » MOSFET als lineaire weerstand gegeven beeldverhouding

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Weerstand Rekenmachines

MOSFET als lineaire weerstand gegeven beeldverhouding

LaTeX Gaan Lineaire weerstand = Kanaallengte/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Effectieve spanning)

Eindige weerstand tussen afvoer en bron

LaTeX Gaan Eindige weerstand = modulus(Positieve gelijkspanning)/Afvoerstroom

Elektron gemiddeld vrij pad

LaTeX Gaan Elektron gemiddeld vrij pad = 1/(Uitgangsweerstand*Afvoerstroom)

Afvoeruitgangsweerstand

LaTeX Gaan Uitgangsweerstand = 1/(Elektron gemiddeld vrij pad*Afvoerstroom)

Bekijk meer >>

MOSFET als lineaire weerstand gegeven beeldverhouding Formule

LaTeX Gaan

Lineaire weerstand = Kanaallengte/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Effectieve spanning)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)

Wat is de voorwaarde om de MOSFET als lineaire weerstand te gebruiken?

Wanneer je de poortspanning langzaam verhoogt, begint de MOSFET langzaam te geleiden door het lineaire gebied binnen te gaan waar het een spanning erover begint te ontwikkelen die we V DS noemen. In deze regio fungeert de MOSFET als een weerstand van eindige waarde.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!