Mobiliteit in Mosfet Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer
μeff = Kp/Cox
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Mobiliteit in MOSFET - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit in MOSFET wordt gedefinieerd op basis van het vermogen van een elektron om snel door een metaal of halfgeleider te bewegen, wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.
K Prime - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - K Prime is de omgekeerde snelheidsconstante van de reactie.
Capaciteit van Gate Oxide Layer - (Gemeten in Farad per vierkante meter) - De capaciteit van de poortoxidelaag wordt gedefinieerd als de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
K Prime: 4.502 Vierkante centimeter per volt seconde --> 0.0004502 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie ​hier)
Capaciteit van Gate Oxide Layer: 29.83 Microfarad per vierkante millimeter --> 29.83 Farad per vierkante meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
μeff = Kp/Cox --> 0.0004502/29.83
Evalueren ... ...
μeff = 1.50921890714046E-05
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.50921890714046E-05 Vierkante meter per volt per seconde -->0.150921890714046 Vierkante centimeter per volt seconde (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.150921890714046 0.150922 Vierkante centimeter per volt seconde <-- Mobiliteit in MOSFET
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt
​ LaTeX ​ Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))
DIBL-coëfficiënt
​ LaTeX ​ Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel
Kanaallading
​ LaTeX ​ Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Kritieke spanning
​ LaTeX ​ Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Mobiliteit in Mosfet Formule

​LaTeX ​Gaan
Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer
μeff = Kp/Cox

Welke invloed heeft mobiliteit op de werking van CMOS?

Mobiliteit in CMOS heeft betrekking op de beweging van ladingsdragers (elektronen en gaten) in de transistorkanalen. Het beïnvloedt de stroomversterking en inventaris van de transistor, vandaar de algehele werking van het CMOS-circuit. Mobiliteit bepaalt de schakelsnelheid en de toepasselijke poortspanning van een CMOS-transistor.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!