Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Percentage fout
Aftrekken fractie
KGV van drie getallen
MESFET-afsnijfrequentie Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Gezondheid
Speelplaats
Wiskunde
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
⤿
Magnetron theorie
Analoge communicatie
Analoge elektronica
Antenne
CMOS-ontwerp en toepassingen
Controle systeem
Digitale beeldverwerking
Digitale communicatie
Draadloze communicatie
EDC
Elektromagnetische veldtheorie
Geïntegreerde schakelingen (IC)
Glasvezeltransmissie
Informatietheorie en codering
Ingebouwd systeem
Ontwerp van optische vezels
Opto-elektronica-apparaten
Radarsysteem
RF-micro-elektronica
Satellietcommunicatie
Schakelsystemen voor telecommunicatie
Signaal en systemen
Solid State-apparaten
Televisie techniek
Transmissielijn en antenne
Vermogenselektronica
Versterkers
VLSI-fabricage
⤿
Microgolf-halfgeleiders
Magnetronapparaten
Magnetronbuizen en -circuits
⤿
Transistorversterkers
BJT-microgolfapparaten
MESFET-kenmerken
Niet-lineaire schakelingen
Parametrische apparaten
✖
Transconductantie van de MESFET is een sleutelparameter in MESFET's, die de verandering in drainstroom vertegenwoordigt ten opzichte van de verandering in gate-source-spanning.
ⓘ
Transconductantie van de MESFET [G
m
]
Abmho
Ampère/Volt
Gemmho
Gigasiemens
kilosiemens
Megasiemens
Mho
Micromho
Microsiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Gekwantificeerde Hall Conductance
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET).
ⓘ
Gate-broncapaciteit [C
gs
]
Abfarad
Attofarad
centifarad
Coulomb/Volt
Decafárad
decifarad
EMU van Capaciteit
ESU van Capaciteit
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hectoparad
Kilofarad
Megafarad
Microfarad
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
MESFET Cutoff Frequency vertegenwoordigt de frequentie waarbij de stroomversterking (of transconductantie) van de transistor aanzienlijk begint af te nemen.
ⓘ
MESFET-afsnijfrequentie [f
co
]
Attohertz
Beats / Minute
Centihertz
Cyclus/Seconde
Decahertz
Decihertz
Exahertz
Femtohertz
Frames per seconde
Gigahertz
Hectohertz
Hertz
Kilohertz
Megahertz
Microhertz
Millihertz
Nanohertz
petahertz
Picohertz
Revolutie per dag
Revolutie per uur
Revolutie per minuut
Revolutie per seconde
Terahertz
Yottahertz
Zettahertz
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
MESFET-afsnijfrequentie
Formule
`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`
Voorbeeld
`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden Microgolf-halfgeleiders Formule Pdf
MESFET-afsnijfrequentie Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
MESFET-afsnijfrequentie
=
Transconductantie van de MESFET
/(2*
pi
*
Gate-broncapaciteit
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
Deze formule gebruikt
1
Constanten
,
3
Variabelen
Gebruikte constanten
pi
- De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288
Variabelen gebruikt
MESFET-afsnijfrequentie
-
(Gemeten in Hertz)
- MESFET Cutoff Frequency vertegenwoordigt de frequentie waarbij de stroomversterking (of transconductantie) van de transistor aanzienlijk begint af te nemen.
Transconductantie van de MESFET
-
(Gemeten in Siemens)
- Transconductantie van de MESFET is een sleutelparameter in MESFET's, die de verandering in drainstroom vertegenwoordigt ten opzichte van de verandering in gate-source-spanning.
Gate-broncapaciteit
-
(Gemeten in Farad)
- Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET).
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Transconductantie van de MESFET:
0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Geen conversie vereist
Gate-broncapaciteit:
56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad
(Bekijk de conversie
hier
)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
f
co
= G
m
/(2*pi*C
gs
) -->
0.063072/(2*
pi
*5.6E-05)
Evalueren ... ...
f
co
= 179.253938762358
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
179.253938762358 Hertz --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
179.253938762358
≈
179.2539 Hertz
<--
MESFET-afsnijfrequentie
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
Magnetron theorie
»
Microgolf-halfgeleiders
»
Transistorversterkers
»
MESFET-afsnijfrequentie
Credits
Gemaakt door
banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Dipanjona Mallick
Erfgoedinstituut voor technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
10+ Transistorversterkers Rekenmachines
Vermogensversterking van de neerwaartse converter gegeven degradatiefactor
Gaan
Vermogensversterking van de downconverter
=
Signaalfrequentie
/
Uitgangsfrequentie
*(
Signaalfrequentie
/
Uitgangsfrequentie
*(
Maat van verdienste
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Signaalfrequentie
/
Uitgangsfrequentie
*(
Maat van verdienste
)^2)))^2
Versterkingsdegradatiefactor voor MESFET
Gaan
Verkrijg degradatiefactor
=
Uitgangsfrequentie
/
Signaalfrequentie
*(
Signaalfrequentie
/
Uitgangsfrequentie
*(
Maat van verdienste
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Signaalfrequentie
/
Uitgangsfrequentie
*(
Maat van verdienste
)^2)))^2
Ruisfactor GaAs MESFET
Gaan
Ruisfactor
= 1+2*
Hoekfrequentie
*
Gate-broncapaciteit
/
Transconductantie van de MESFET
*
sqrt
((
Bron weerstand
-
Poort weerstand
)/
Ingangsweerstand
)
Maximale bedrijfsfrequentie
Gaan
Maximale bedrijfsfrequentie
=
MESFET-afsnijfrequentie
/2*
sqrt
(
Afvoerweerstand
/(
Bron weerstand
+
Ingangsweerstand
+
Weerstand tegen metallisatie van poorten
))
Maximaal toegestaan vermogen
Gaan
Maximaal toegestaan vermogen
= 1/(
Reactantie
*
Afsnijfrequentie transittijd
^2)*(
Maximaal elektrisch veld
*
Maximale verzadigingsdriftsnelheid
/(2*
pi
))^2
Maximale vermogenswinst van microgolftransistor
Gaan
Maximale vermogenswinst van een microgolftransistor
= (
Afsnijfrequentie transittijd
/
Frequentie van vermogensversterking
)^2*
Uitgangsimpedantie
/
Ingangsimpedantie
Transconductantie in het verzadigingsgebied in MESFET
Gaan
Transconductantie van de MESFET
=
Uitgangsgeleiding
*(1-
sqrt
((
Ingangsspanning
-
Drempelspanning
)/
Afknijpspanning
))
MESFET-afsnijfrequentie
Gaan
MESFET-afsnijfrequentie
=
Transconductantie van de MESFET
/(2*
pi
*
Gate-broncapaciteit
)
Doorgangshoek
Gaan
Doorgangshoek
=
Hoekfrequentie
*
Lengte van driftruimte
/
Driftsnelheid van de drager
Maximale frequentie van oscillatie
Gaan
Maximale frequentie van oscillatie
=
Verzadigingssnelheid
/(2*
pi
*
Kanaallengte
)
MESFET-afsnijfrequentie Formule
MESFET-afsnijfrequentie
=
Transconductantie van de MESFET
/(2*
pi
*
Gate-broncapaciteit
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!