KGV rekenmachine

Gemiddelde tijdsbesteding per hole Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Solid State-apparaten Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Elektronen en gaten Energieband en ladingdrager Halfgeleider dragers SSD-knooppunt

✖Optische generatiesnelheid het aantal elektronen dat op elk punt in het apparaat wordt gegenereerd als gevolg van de absorptie van fotonen.ⓘ Optische generatiesnelheid [g_op]			+10% -10%
✖Majority Carrier Decay verwijst naar de snelheid waarmee de spanning afneemt en wordt bepaald door de hoeveelheid minderheidsdragers die per tijdseenheid recombineren.ⓘ Meerderheid Carrier Decay [τ_p]			+10% -10%

✖De gemiddelde tijdsbesteding per gat wordt gedefinieerd als de totale tijd die het gat nodig heeft om te recombineren met de ladingsdrager.ⓘ Gemiddelde tijdsbesteding per hole [δ_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronen en gaten Formules Pdf PDF Image

Gemiddelde tijdsbesteding per hole Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay
δ_p = g_op*τ_p
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gemiddelde tijdsbesteding per hole - (Gemeten in Seconde) - De gemiddelde tijdsbesteding per gat wordt gedefinieerd als de totale tijd die het gat nodig heeft om te recombineren met de ladingsdrager.
Optische generatiesnelheid - Optische generatiesnelheid het aantal elektronen dat op elk punt in het apparaat wordt gegenereerd als gevolg van de absorptie van fotonen.
Meerderheid Carrier Decay - Majority Carrier Decay verwijst naar de snelheid waarmee de spanning afneemt en wordt bepaald door de hoeveelheid minderheidsdragers die per tijdseenheid recombineren.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Optische generatiesnelheid: 2.9E+19 --> Geen conversie vereist
Meerderheid Carrier Decay: 2.8E-16 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

δ_p = g_op*τ_p --> 2.9E+19*2.8E-16

Evalueren ... ...

δ_p = 8120

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

8120 Seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

8120 Seconde <-- Gemiddelde tijdsbesteding per hole

(Berekening voltooid in 00.007 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Elektronen en gaten » Gemiddelde tijdsbesteding per hole

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Elektronen en gaten Rekenmachines

Hole Component

LaTeX Gaan Gatencomponent = Elektronencomponent*Efficiëntie van emitterinjectie/(1-Efficiëntie van emitterinjectie)

Elektronencomponent

LaTeX Gaan Elektronencomponent = ((Gatencomponent)/Efficiëntie van emitterinjectie)-Gatencomponent

Elektron buiten regio

LaTeX Gaan Aantal elektronen buiten regio = Vermenigvuldiging van elektronen*Aantal elektronen in regio

Elektron in regio

LaTeX Gaan Aantal elektronen in regio = Aantal elektronen buiten regio/Vermenigvuldiging van elektronen

Bekijk meer >>

< Halfgeleider dragers Rekenmachines

Distributiecoëfficiënt

LaTeX Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Fermi-functie

LaTeX Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Foto-elektronen energie

LaTeX Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

LaTeX Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Bekijk meer >>

Gemiddelde tijdsbesteding per hole Formule

LaTeX Gaan

Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay
δ_p = g_op*τ_p

Wat is elektronendichtheid?

Elektronendichtheid of elektronische dichtheid is de maatstaf voor de waarschijnlijkheid dat een elektron aanwezig is op een oneindig klein ruimtelijk element dat een bepaald punt omringt.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!