Maximale doteringsconcentratie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
Cs = Co*exp(-Es/([BoltZ]*Ta))
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 1 Functies, 4 Variabelen
Gebruikte constanten
[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23
Functies die worden gebruikt
exp - In een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele., exp(Number)
Variabelen gebruikt
Maximale doteringsconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Maximale doteerstofconcentratie beschrijft hoe de concentratie van doteerstofatomen in een halfgeleidermateriaal exponentieel afneemt bij toenemende temperatuur.
Referentieconcentratie - Referentieconcentratie verwijst naar een constante die dient als referentie- of basislijnconcentratie.
Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen - (Gemeten in Joule) - Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen is een parameter die de energiebarrière karakteriseert voor het opnemen van doteringsatomen in het kristalrooster van een halfgeleidermateriaal.
Absolute temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Absolute temperatuur is een maatstaf voor de thermische energie in een systeem en wordt gemeten in Kelvin.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Referentieconcentratie: 0.005 --> Geen conversie vereist
Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen: 1E-23 Joule --> 1E-23 Joule Geen conversie vereist
Absolute temperatuur: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Cs = Co*exp(-Es/([BoltZ]*Ta)) --> 0.005*exp(-1E-23/([BoltZ]*24.5))
Evalueren ... ...
Cs = 0.00485434780101741
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.00485434780101741 Elektronen per kubieke meter -->4.85434780101741E-09 Elektronen per kubieke centimeter (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
4.85434780101741E-09 4.9E-9 Elektronen per kubieke centimeter <-- Maximale doteringsconcentratie
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET
​ LaTeX ​ Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))
Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
Kanaal weerstand
​ LaTeX ​ Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
​ LaTeX ​ Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Maximale doteringsconcentratie Formule

​LaTeX ​Gaan
Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
Cs = Co*exp(-Es/([BoltZ]*Ta))

Waar kan ik waarden voor activeringsenergie vinden?

Experimentele waarden voor activeringsenergie zijn te vinden in leerboeken over halfgeleiderfysica, onderzoekspapers en databases met materiaaleigenschappen. Onderzoekers rapporteren in de literatuur vaak E_s voor specifieke materialen en doteerstoffen.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!