Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
n0 = ni^2/p0
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Meerderheid Carrier Concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Majority Carrier Concentration is het aantal dragers in de geleidingsband zonder extern toegepaste bias.
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Concentratie van minderheidsdragers - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Minority Carrier Concentration is het aantal dragers in de valentieband zonder extern toegepaste bias.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Intrinsieke dragerconcentratie: 120000000 1 per kubieke meter --> 120000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Concentratie van minderheidsdragers: 91000000 1 per kubieke meter --> 91000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
n0 = ni^2/p0 --> 120000000^2/91000000
Evalueren ... ...
n0 = 158241758.241758
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
158241758.241758 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
158241758.241758 1.6E+8 1 per kubieke meter <-- Meerderheid Carrier Concentratie
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Akshada Kulkarni
Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana
Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Team Softusvista
Softusvista Office (Pune), India
Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders
​ LaTeX ​ Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)
Lengte elektronendiffusie
​ LaTeX ​ Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)
Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders
​ LaTeX ​ Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2
Mobiliteit van ladingdragers
​ LaTeX ​ Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldsterkte

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type Formule

​LaTeX ​Gaan
Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
n0 = ni^2/p0

Hoe wordt de concentratie van de meerderheid van de drager beïnvloed door de concentratie van onzuiverheden in de donor?

de concentratie van de meerderheids-dragerelektronen in thermisch evenwicht is in wezen gelijk aan de concentratie van de donoronzuiverheid. De thermisch-evenwichtsmeerderheids- en minderheidsdragersconcentraties kunnen vele ordes van grootte verschillen. Als de concentratie van de donoronzuiverheid niet te veel verschilt van de intrinsieke dragerconcentratie, wordt de thermisch-evenwichtsmeerderheid van de dragerelektronenconcentratie beïnvloed door de intrinsieke concentratie.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!